[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：芯片、互联结构层和无源器件。互连结构层包括绝缘介质层、位于绝缘介质层中的第一导电层和第二导电层，第一导电层朝向芯片的正面，第二导电层背向芯片，第一导电层与芯片的正面电性连接；无源器件位于互联结构层中且被绝缘介质层包裹，无源器件位于第二导电层和芯片之间且与第二导电层电性连接。将无源器件设置于芯片正面的互联结构层中，利用互联结构层中导电层之间的间隙设置无源器件，可节省器件排布的设计空间，提高封装结构中的封装密度，可降低工艺过程中发生翘曲的可能性，避免封装结构在工艺过程中发生翘曲。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体封装结构。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。因此如何提高封装结构的集成度是本领域的重要课题。同时因工艺过程中存在多膜层的成型过程，需经过多次升温降温过程，或刻蚀过程，封装结构在工艺过程中易发生翘曲，如何解决工艺过程中的翘曲也是本领域一重要的研究方向。

实用新型内容

因此，本实用新型提供一种半导体封装结构，以提高封装结构中器件的封装密度并减少工艺过程中的翘曲。

本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：芯片；互联结构层，所述互连结构层包括绝缘介质层、位于绝缘介质层中的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层朝向所述芯片的正面，所述第二导电层背向所述芯片，所述第一导电层与所述芯片的正面电性连接；无源器件，所述无源器件位于所述互联结构层中且被绝缘介质层包裹，所述无源器件位于第二导电层和芯片之间且与所述第二导电层电性连接。

可选的，第一导电层为若干个，第二导电层为若干个；所述互联结构层还包括：若干第三导电层，所述第三导电层电性接触所述第二导电层，且部分第三导电层直接电性接触所述无源器件；第四导电层，所述第四导电层与所述无源器件位于同一层，且所述第四导电层与所述无源器件之间存在间隔；所述第四导电层电性接触所述第一导电层和部分所述第三导电层。

可选的，所述第三导电层和所述第四导电层在所述第一导电层和所述第二导电层之间沿着垂直于芯片的正面的方向排布。

可选的，所述绝缘介质层包括第一绝缘介质层、第四绝缘介质层、第三绝缘介质层和第二绝缘介质层，自芯片背面至芯片的正面的方向上，第一绝缘介质层、第四绝缘介质层、第三绝缘介质层和第二绝缘介质层层叠设置；所述第一导电层位于所述第一绝缘介质层中；所述第四导电层和所述无源器件位于所述第四绝缘介质层中；所述第三导电层位于所述第三绝缘介质层中；所述第二导电层位于所述第二绝缘介质层中。

可选的，所述绝缘介质层还包括衬底绝缘介质层，所述衬底绝缘介质层位于所述第二导电层背离所述芯片一侧的表面。

可选的，所述衬底绝缘介质层中设有多个开口，所述开口中设置有电性接触所述第二导电层的焊球，所述焊球部分凸出于所述衬底绝缘介质层。

可选的，焊接结构，所述芯片的正面通过焊接结构电性连接所述第一导电层。

可选的，所述焊接结构为金属导电柱。

可选的，塑封层，所述塑封层位于所述互联结构层朝向所述芯片一侧的表面，所述塑封层包覆所述芯片。

可选的，所述芯片为中央处理器、图形处理器、内存数组或图像传感器；所述无源器件为电感、电阻或电容。

本实用新型的技术方案，具有如下优点：