[实用新型]一种转换效率高的异质结太阳能单面电池

权利要求书

1.一种转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：它包括硅片(1)、第一本征非晶硅薄膜层(2)、第一掺杂非晶硅薄膜层(4)、第二本征非晶硅薄膜层(3)、第二掺杂非晶硅薄膜层(5)、第一透明导电薄膜层(6)、第二透明导电薄膜层(7)、阻挡层(8)、金属层(9)、金属保护层(10)、第一银浆电极栅线(11)以及第二银浆电极栅线(12)；

所述硅片的正背面经制绒后形成金字塔绒面；所述第一本征非晶硅薄膜层(2)、第一掺杂非晶硅薄膜层(4)以及第一透明导电薄膜层(6)由里及表依次设于硅片的正面，所述第二本征非晶硅薄膜层(3)、第二掺杂非晶硅薄膜层(5)、第二透明导电薄膜层(7)、阻挡层(8)、金属层(9)以及金属保护层(10)由里及表依次设于硅片的背面；

所述第一银浆电极栅线(11)印刷于第一透明导电薄膜层(6)上，所述第二银浆电极栅线(12)印刷于金属保护层(10)上。

2.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述第一掺杂非晶硅薄膜层(4)为n-型非晶硅薄膜层，所述第二掺杂非晶硅薄膜层(5)为p-型非晶硅薄膜层。

3.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述第一掺杂非晶硅薄膜层(4)为p-型非晶硅薄膜层，所述第二掺杂非晶硅薄膜层(5)为n-型非晶硅薄膜层。

4.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅薄膜层(2)、第一掺杂非晶硅薄膜层(4)、第二本征非晶硅薄膜层(3)和第二掺杂非晶硅薄膜层(5)的厚度均为3～10nm。

5.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述第一透明导电薄膜层(6)为氧化铟层，其厚度为30～200nm。

6.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述第二透明导电薄膜层(7)包括氧化铟层以及氧化锌层，所述氧化铟层的厚度为10～50nm，所述氧化锌层的厚度为30～200nm。

7.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述阻挡层(8)为TiN、Ti-W、Ni-W合金中的一种，其厚度为5～30nm。

8.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述金属层(9)的厚度为100～300nm，方阻小于0.3Ω/□。

9.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述金属保护层(10)的厚度为10～30nm。

10.根据权利要求1所述的转换效率高的异质结太阳能单面电池，其特征在于：所述第一银浆电极栅线(11)的栅线包括若干根上下间隔分布且沿横向延伸的细栅线(111)以及若干根横向间隔分布且沿纵向延伸的主栅线A(112)；所述细栅线(111)与主栅线A(112)横纵交错，使第一银浆电极栅线(11)的栅线呈网格状；

所述第二银浆电极栅线(12)的栅线包括若干根横向间隔分布且沿纵向延伸的主栅线B(121)。