[实用新型]具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路

权利要求书

1.具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：包括若干供电电源、若干电压转换电路、若干过电压采样电路、若干欠电压采样电路、若干电子开关控制电路、若干逻辑门电路、若干状态指示及回馈电路、若干过流采样电路、第一扩展模块、第二扩展模块，所述供电电源与所述电压转换电路连接，所述电压转换电路与所述电子开关控制电路连接，所述电子开关控制电路与所述过电压采样电路连接，所述过电压采样电路与所述状态指示及回馈电路连接，所述状态指示及回馈电路与所述第一扩展模块连接，所述第二扩展模块与所述电压转换电路连接，所述电压转换电路与所述过电压采样电路、所述欠电压采样电路连接，所述过电压采样电路、所述欠电压采样电路与所述逻辑门电路连接，所述逻辑门电路与所述电子开关控制电路。

2.如权利要求1所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述过电压采样电路由第一单路差分比较器、第一并联型电压基准、第一采样电阻、第二采样电阻组成，所述第一单路差分比较器的同相端与所述第一并联型电压基准连接，所述第一单路差分比较器的反相端通过所述第一采样电阻与所述电压转换电路连接，所述第一单路差分比较器的反相端通过所述第二采样电阻与地连接。

3.如权利要求2所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述欠电压采样电路由第二单路差分比较器、第二并联型电压基准、第三采样电阻、第四采样电阻组成，所述第二单路差分比较器的反相端与所述第二并联型电压基准连接，所述第二单路差分比较器的同相端通过所述第三采样电阻与所述电压转换电路连接，所述第二单路差分比较器的同相端通过所述第四采样电阻与地连接。

4.如权利要求3所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述逻辑门电路由单路双输入正与门组成，所述第一单路差分比较器的输出端和所述第二单路差分比较器的输出端分别与所述单路双输入正与门的输入端连接，所述单路双输入正与门的输出端与所述电子开关控制电路连接。

5.如权利要求4所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述电子开关控制电路由第一MOS管组成，所述单路双输入正与门的输出端与PNP型三极管的基极连接，所述第一MOS管的源极与所述PNP型三极管的发射极、所述电压转换电路的输出端连接，所述PNP型三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极与所述过流采样电路连接。

6.如权利要求5所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述过流采样电路由可编程限流开关组成，所述第一MOS管的漏极与所述可编程限流开关的电压输入引脚、使能引脚连接，所述可编程限流开关的电流限位引脚与编程电阻连接。

7.如权利要求6所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述状态指示及回馈电路包括第一LED灯、第二LED灯、第二MOS管、第三MOS管，所述可编程限流开关的源引脚与所述第一LED灯连接，所述第二MOS管的栅极与输入电源连接，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的漏极与所述电压转换电路、所述第一扩展模块、所述第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的源极接地，所述第三MOS管的漏极与所述第二LED灯连接。

8.如权利要求1所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述电压转换电路采用TPS5450DDAR芯片。

9.如权利要求1所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述第一扩展模块和所述第二扩展模块为IO扩展模块。

10.如权利要求7所述的具备过电压、欠电压、过电流保护功能的多组控制电路，其特征在于：所述供电电源采用TDK ZUP20-40，所述第一单路差分比较器、所述第二单路差分比较器采用TL331IDBVR，所述第一并联型电压基准、所述第二并联型电压基准采用LM4041AEM，所述单路双输入正与门采用SN74AHC1G09DBVR，所述可编程限流开关采用MP5036C。