[实用新型]一种高效PERC太阳能电池有效
申请号: | 202022603182.5 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN213304149U | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 黄智;张林;徐涛;翟绪锦;谢泰宏 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人: | 于婉萍;平静 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 perc 太阳能电池 | ||
本实用新型公开了一种高效PERC太阳能电池,属于太阳能电池技术领域。本实用新型的一种高效PERC太阳能电池,包括硅片基体以及位于硅片基体正面的发射极、氧化层、钝化及减反射层和正面电极,所述正面电极的副栅线由依次交替分布的非金属化区和金属化区组成,氧化层与钝化及减反射层上加工有与金属化区对应分布的激光开孔区,金属化区穿过对应的激光开孔与发射极形成欧姆接触。采用本实用新型的技术方案可以在确保良好欧姆接触的条件下,进一步降低正面金属化区域的复合,从而能够有效提升电池的光电转换效率。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种高效PERC太阳能电池。
背景技术
晶硅太阳能电池是一种利用PN结的光生伏特效应将光能转换成电能的器件,其中PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)太阳能电池最早起源于上世纪八十年代,由澳洲新南威尔士大学的Martin Green研究组开发而成。有别于常规太阳能电池,其在电池背表面采用了介质膜钝化和局域金属接触的技术,使得背表复合速率显著降低、增加电池的背反射,从而大幅提升了电池的长波效应。本世纪初,用于P型PERC电池背面的AlOx介质膜的钝化作用的发现及研究,使得PERC电池的产业化逐步成为可能。随后随着沉积AlOx产业化制备技术和设备的成熟,加上激光技术的引入,PERC技术开始逐步走向产业化。由于工艺简单、成本较低,2017年以后,PERC电池已逐步发展成市场上主流的高效太阳能电池产品和技术。
最近一两年内,PERC电池进一步结合高质量掺镓单晶硅片、SE(SelectiveEmitter),MBB、碱抛和双面等技术,即行业所称的PERC+技术,将PERC电池的光电转换效率从初期的21.5%提升到23%左右,电池片的双面率可达75%以上。目前主流单晶PERC太阳能电池的制造流程主要是:制绒—扩散—激光SE—热氧—去PSG—碱抛—退火—背面沉积钝化膜—正面沉积减反膜—背面激光—背电极印刷—背面铝栅线印刷—正电极印刷—烧结。在以上PERC+技术的制程中,主要通过扩散在正面整体形成浅结的发射极;利用扩散后的磷硅玻璃为磷源,对应正电极副栅2的区域进行激光掺杂形成副栅激光掺杂区4(图2);然后采用高精度丝网印刷方式,在掺杂区上方套印正面电极浆料;最后通过750-800℃的共烧结,浆料穿透正面钝化和氧化层和基体重掺杂区形成欧姆接触,从而实现正面电极(图1)的金属化过程。
如何进一步提升PERC电池的转换效率,缩小与HJT(HeterojunctionTechnology)、TOPCon等高效电池的转换效率差异,维持其综合性价比的优势,这是PERC+技术后续持续面临的问题。正面金属化区域的复合是决定和影响PERC电池转换效率的最主要因素。目前,随着无网结等丝网印刷技术的开发和推广,正电极副栅线宽可以到30-40μm。但进一步减小栅线宽度到20μm以下的难度越来越大,这对正银浆料的性能、网板精度及长寿命下的图形稳定性、激光和丝网印刷机精度等方面的要求都大大增加,以目前的技术来说通过降低线宽的方式显著降低金属化区域的复合难以实现。
因此,如何在确保良好的欧姆接触条件下,进一步降低正面金属化区域的复合,提升电池的光电转换效率,成为目前PERC+技术的难点之一。
经检索,中国专利申请号为201210447363.0的申请案公开了一种太阳能电池及其制作方法,其包括:提供基底,该基底包括本体层、覆盖在本体层正表面上的扩散层;对扩散层进行局部重掺杂,形成第一副栅线;在基底正表面上形成减反射层;在第一副栅线上方形成间断的第二副栅线;在第二副栅线上方形成连续的主栅线和第三副栅线;对基底进行烧结。该申请案使第三副栅线与基底不接触,第二副栅线与基底形成点接触,从而减少了基底表面的载流子的复合,并且通过对扩散层进行局部重掺杂,实现正面电极与基底的局部电学接触处的局部重掺杂。但该申请案由于浆料之间的相互影响,已被验证无法实现局部金属化。
实用新型内容
1.要解决的问题
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的