[实用新型]一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置

权利要求书

1.一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述装置包括：

长晶炉，所述长晶炉内设置有坩埚，所述坩埚的开口呈缩口形；所述长晶炉的外侧设有提拉电机，所述提拉电机通过升降机构与所述坩埚的坩埚上盖连接；

所述坩埚的上方设有组合式加热器，所述组合式加热器包括多个同心设置的加热环，以使得通过控制所述多个同心设置的加热环的加热温度，调节碳化硅单晶在长晶阶段时坩埚内的轴向温梯和径向温梯。

2.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述多个同心设置的加热环的圆心位于所述坩埚的中轴线上。

3.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述多个同心设置的加热环中，位于最外侧的加热环的外径不小于所述坩埚的最大直径。

4.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述多个同心设置的加热环之间彼此等间隔设置。

5.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述多个同心设置的加热环具有相同的环宽。

6.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，每个加热环上设有用于检测温度的热电阻，和用于连接电连接线的接线柱。

7.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述加热环是石墨加热环。

8.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述加热环的数量为2-8个。

9.根据权利要求8所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述加热环的数量为5个。

10.根据权利要求1所述的用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置，其特征在于，所述长晶炉的外侧周围还设有中频感应加热器。