[实用新型]一种850nm波段单载流子高速探测器

权利要求书

1.一种850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：其包括入射端，所述入射端上由下至上依次包括衬底、第一收集层、第二收集层、过渡层、p型多量子阱吸收层、p型阻挡层和p型接触层，还包括正电极层和负电极层，所述正电极层位于所述p型接触层上，所述负电极层位于所述第一收集层上且位于所述第二收集层的一侧。

2.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述入射端为850nm波段的增透介质膜层。

3.根据权利要求2所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述入射端为双层混合结构，包括第一介质膜层和第二介质膜层，二者的光学厚度和为850nm的四分之一。

4.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述第一收集层的厚度为50-100nm。

5.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述第二收集层的厚度为200-300nm。

6.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述过渡层由下至上依次包括电荷层、下过渡层和上过渡层，所述电荷层的厚度为5-15nm；所述下过渡层的厚度为10-20nm；所述上过渡层的厚度为5-15nm。

7.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述p型多量子阱吸收层的厚度为50-100nm。

8.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述p型阻挡层的厚度为20-30nm。

9.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述p型接触层的厚度为50-80nm。

10.根据权利要求1所述850nm波段单载流子高速探测器，其特征在于：所述正电极层的厚度为400-500nm；所述负电极层的厚度为300-500nm。