[实用新型]垂直腔面发射激光器有效
申请号: | 202022618122.0 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN213692645U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 张穗;乔鹏飞;沈志强 | 申请(专利权)人: | 深圳博升光电科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 发射 激光器 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:
层叠设置的第一反射器层、有源层、第二反射器层;
所述第二反射器层上设置有第一光栅槽,所述第一光栅槽自所述第二反射器层背离所述有源层的表面,延伸至所述第二反射器层内部。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述第二反射器层上设置有光栅层,所述光栅层上设置有第二光栅槽,所述第二光栅槽在厚度方向贯通所述光栅层,所述第二光栅槽正对所述第一光栅槽,且所述第二光栅槽与所述第一光栅槽相通。
3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第二光栅槽的宽度小于等于所述第一光栅槽的宽度。
4.根据权利要求2或3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述第二反射器层与所述光栅层之间设置有氧化间隔层,所述氧化间隔层具有氧化区域,所述第一光栅槽和所述第二光栅槽位于所述氧化区域范围内,所述氧化间隔层设置有第三光栅槽,所述第三光栅槽在厚度方向贯通所述氧化间隔层,所述第三光栅槽正对所述第一光栅槽及所述第二光栅槽,且分别与所述第一光栅槽及所述第二光栅槽连通。
5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第三光栅槽的宽度小于或等于或大于所述第一光栅槽的宽度和/或所述第二光栅槽的宽度。
6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第二反射器层上形成有第一保护层,所述第一保护层覆盖所述第二反射器层的顶面、所述第一光栅槽的底面及侧壁。
7.根据权利要求2或3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述光栅层上形成有第一保护层,所述第一光栅槽与所述第二光栅槽构成复合光栅槽,所述第一保护层覆盖所述光栅层的顶面、所述复合光栅槽的底面及侧壁。
8.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述光栅层上形成有第一保护层,所述第一光栅槽、所述第二光栅槽及所述第三光栅槽构成复合光栅槽,所述第一保护层覆盖所述光栅层的顶面、所述复合光栅槽的底面及侧壁。
9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述光栅层上形成有第二保护层,所述第二保护层覆盖所述光栅层位于相邻两所述复合光栅槽之间的顶面。
10.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一保护层和/或所述第二保护层包括SiO2层、SiN层、TiO2层、AlN层、Ta2O5层、AlOx层和HfO2层中至少任一的单层结构或至少两者以上的复合层结构。
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