[实用新型]一种基于LTCC技术的超宽带集成电路

权利要求书

1.一种基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，包括设置在LTCC基板上的合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器和开关控制及供电稳压电路，所述LTCC基板共15层，且LTCC基板的第1层～第8层LTCC基板进行了挖腔处理，第9层～第11层LTCC基板进行了二次挖腔处理，所述合路器、限幅器、两级放大器均设置在第二次挖腔处理后的第11层LTCC基板上，所述开关穿过第9层～第15层LTCC基板设置在盒体上，所述合路器、开关、滤波器、限幅器、两级放大器通过微带线依次连接。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述微带线采用三层LTCC基板作为介质，且设置于第8层LTCC基板上。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述合路器、限幅器、两级放大器均通过金丝与设置于第8层LTCC基板上的微带线连接。

4.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述开关控制及供电稳压电路设置于LTCC基板下方。

5.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述滤波器为采用15层LTCC基板的带状线结构，其中，第7层和第8层为带状线结构的走线层。

6.根据权利要求5所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述带状线结构与微带线之间设有过渡结构，所述过渡结构包括带状线结构与微带线连接导体带，以及贯穿LTCC基板的金属通孔，所述导体带通过线宽优化处理，形成阶梯变换结构。

7.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述LTCC基板的介电常数为5.9。

8.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述LTCC基板的尺寸为47mm*40mm，单层厚度为0.096mm。

9.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的超宽带集成电路，其特征在于，所述开关采用机械式单刀二掷开关。