[实用新型]一种复合功率开关及开关电源

权利要求书

1.一种复合功率开关，其特征在于，具有第一端口、第二端口、第三端口、第四端口以及第五端口；所述复合功率开关包括：

上拉晶体管，其第一端连接所述第一端口，其第二端连接一内部节点，其控制端连接所述第三端口，所述上拉晶体管被配置为响应第一驱动信号而导通，以在所述内部节点生成一导通驱动信号；

下拉晶体管，其第一端连接所述内部节点，其第二端连接所述第五端口，其控制端连接所述第四端口，所述下拉晶体管被配置为响应第二驱动信号而导通，以拉低所述内部节点的电压；

主功率器件，其第一端连接所述第一端口，其第二端连接所述第二端口，其控制端连接所述内部节点，所述主功率器件被配置为响应所述导通驱动信号而导通，或在所述内部节点的电压被拉低后关断；

其中，同一时间，所述上拉晶体管与所述下拉晶体管仅其中之一处于导通状态，所述上拉晶体管以及所述下拉晶体管的驱动功耗均小于所述主功率器件的驱动功耗。

2.如权利要求1所述的复合功率开关，其特征在于，所述上拉晶体管为一第一NMOS管；所述第一NMOS管的漏极连接所述第一端口，其源极连接所述内部节点，其栅极连接所述第三端口；所述第一驱动信号为施加在所述第一NMOS管的栅极的第一高电平；其中，所述第一高电平高于所述第一NMOS管的阈值电平。

3.如权利要求1所述的复合功率开关，其特征在于，所述下拉晶体管为一第二NMOS管；所述第二NMOS管的漏极连接所述内部节点，其源极连接所述第五端口，其栅极连接所述第四端口；所述第二驱动信号为施加在所述第二NMOS管的栅极的第二高电平；其中，所述第二高电平高于所述第二NMOS管的阈值电平。

4.如权利要求1所述的复合功率开关，其特征在于，所述主功率器件为一NPN型三极管；所述NPN型三极管的集电极连接所述第一端口，其发射极连接所述第二端口，其基极连接所述内部节点；所述导通驱动信号为驱动所述NPN型三极管导通的驱动电流。

5.一种开关电源，包括接收输入电压的电磁感应元件，以及连接所述电磁感应元件的开关；

其特征在于，所述开关采用权利要求1～4任一项所述的复合功率开关；

所述复合功率开关的第一端口连接所述电磁感应元件，所述复合功率开关的第二端口接地或通过一电流检测电阻接地，所述复合功率开关的第五端口接地或连接至所述第二端口，所述复合功率开关的第三端口接收一第一驱动信号，所述复合功率开关的第四端口接收一第二驱动信号；

其中，所述复合功率开关的主功率器件导通时，所述电磁感应元件的感应电流上升。

6.如权利要求5所述的开关电源，其特征在于，所述开关电源还包括：导通控制模块、逻辑处理模块、第一驱动模块以及第二驱动模块；

所述导通控制模块，用于生成周期性的脉冲信号；

所述逻辑处理模块，用于根据所述脉冲信号输出第一电平的第一控制信号至所述第一驱动模块，以及输出第二电平的第二控制信号至所述第二驱动模块；

所述第一驱动模块，用于根据第一电平的所述第一控制信号生成第一电平的所述第一驱动信号，并输出至所述第三端口，以驱动所述复合功率开关的上拉晶体管导通，从而导通所述复合功率开关的主功率器件；

所述第二驱动模块，用于根据第二电平的所述第二控制信号生成第二电平的所述第二驱动信号，并输出至所述第四端口，以驱动所述复合功率开关的下拉晶体管关断。