[实用新型]一种基于结构光阵列识别的高安全等级数据访问装置

说明书

本实用新型提供了一种基于结构光阵列识别的高安全等级数据访问装置，所述装置包括：结构光阵列比对单元、合法结构光阵列信息存储单元、用户等级存储单元、用户校验信息存储单元、第一解密电路、校验密钥存储单元、密钥产生单元、数字签名运算单元、用户信息比对单元、读写控制电路和数据存储单元；所述数据存储单元包括第一安全等级存储区和第二安全等级存储区。上述方案通过采集用户结构光阵列信息以实现对数据存储单元的访问，在结构光阵列信息比对通过后根据用户安全等级来获取不同的访问密钥信息，并通过对用户数字签名信息进行认证来决定是否允许当前用户对所述数据存储单元进行访问，极大增强了用户对数据访问的安全性和唯一性。

技术领域

本实用新型涉及芯片电路设计领域，特别涉及一种基于结构光阵列识别的高安全等级数据访问装置。

背景技术

SSD数据存储已经逐渐成为消费设备数据存储和云存储的主要存储介质。对于SSD数据存储来说,数据纠错的意义十分重大,特别是个人关键数据和政府机构相关的数据。SSD主控芯片作为SSD存储设备的大脑,其安全性能直接决定SSD硬盘整体最终的安全性能。

目前，对于每个用户数据的安全访问,最常用的方法仍然是设置密码的方式,通过对密码进行校验的方式完成用户授权，但一个SSD存储设备可能被不同的用户使用,而不同的用户应该有不同的安全等级,以便赋予不同存储空间的访问权限。采用设置密码的方式不仅无法保证用户对于相应存储区访问的唯一性，也容易导致用户忘记密码而无法对存储设备的数据区进行访问的情况发生。

实用新型内容

为此，需要提供一种基于结构光阵列识别的高安全等级数据访问的技术方案，用以解决目前对于同一存储设备的数据访问时存在的安全性弱、用户体验差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种基于结构光阵列识别的高安全等级数据访问装置，所述装置包括：结构光阵列比对单元、合法结构光阵列信息存储单元、用户等级存储单元、用户校验信息存储单元、第一解密电路、校验密钥存储单元、密钥产生单元、数字签名运算单元、用户信息比对单元、读写控制电路和数据存储单元；所述数据存储单元包括第一安全等级存储区和第二安全等级存储区；

所述结构光阵列比对单元分别与结构光阵列采集单元、所述合法结构光阵列信息存储单元、所述用户等级存储单元、用户校验信息存储单元和所述密钥产生单元连接，所述密钥产生单元和所述数字签名运算单元连接，所述数字签名运算单元与所述用户信息比对单元连接；

所述第一解密电路分别与所述用户校验信息存储单元、校验密钥存储单元、用户信息比对单元连接，所述用户信息比对单元与所述读写控制电路连接，所述读写控制电路分别与所述第一安全等级存储区和第二安全等级存储区连接。

进一步地，所述装置包括第二加解密电路，所述第二加解密电路分别与所述密钥产生单元、用户信息比对单元连接。

进一步地，所述装置还包括读写限制单元，所述读写限制单元分别与所述第二加解密单元、所述结构光阵列比对单元连接；

所述读写限制单元用于在接收到数据读写设备发出的数据读写指令后，获取所述结构光阵列比对单元传输的当前用户安全等级，并根据当前用户安全等级对所述数据读写指令能够访问的数据存储单元中的数据存储区位置进行限制。

进一步地，，所述装置还包括计数器和擦除电路；所述计数器分别与所述结构光阵列比对单元、所述擦除电路连接，所述擦除电路与读写控制电路连接。

进一步地，所述装置还包括密钥记录单元，所述密钥记录单元与所述密钥产生单元连接。

进一步地，所述读写控制电路为NAND读写控制器。

进一步地，所述密钥产生单元包括源数据解密单元、根密钥运算单元和层级解密运算单元；所述源数据解密单元与根密钥运算单元连接，所述根密钥运算单元和层级解密运算单元连接；