[实用新型]碳化硅结型场效应管

权利要求书

1.一种碳化硅结型场效应管，其特征在于，

所述碳化硅结型场效应管包括碳化硅衬底(101)、设置在所述碳化硅衬底(101)上的碳化硅外延层(102)、阻断注入区(103)、设置在所述碳化硅外延层(102)的左右两侧的两个栅极注入区(104)和两个源极注入区(105)、以及栅极金属电极(107)和源极金属电极(106)，

所述栅极注入区(104)在正向截面为L型，包括竖直边和垂直边，在侧向沿整个碳化硅外延层(102)延伸，所述两个栅极注入区(104)的L型截面的竖直边相背对；

所述源极注入区(105)设置在对应的所述栅极注入区(104)的L型截面的横边上，所述源极注入区(105)沿整个碳化硅外延层(102)的侧向延伸，

所述阻断注入区(103)与所述两个栅极注入区(104)的L型截面的竖直边分别通过第一连通柱(110)相连接。

2.根据权利要求1所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述第一连通柱(110)为矩形柱，其横向的宽度与所述栅极注入区的所述竖直边的宽度一致，其侧向的宽度比所述竖直边的宽度窄。

3.根据权利要求1所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述碳化硅结型场效应管还包括绝缘层(111)，所述绝缘层(111)使得所述源极金属电极(106)和所述栅极金属电极(107)之间实现电性能隔离。

4.根据权利要求1所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述碳化硅结型场效应管还包括第二连通柱(109)，所述第二连通柱(109)用来连通所述源极金属电极(106)和所述源极注入区(105)，所述第二连通柱(109)的横向宽度窄于所述源极注入区(105)的横向宽度，所述第二连通柱(109)的侧向宽度窄于所述源极注入区(105)的侧向宽度，所述第二连通柱(109)设置在所述源极注入区(105)的远离栅极注入区(104)的所述竖直边的位置。

5.根据权利要求4所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述第一连通柱(110)的横向宽度大于所述第二连通柱(109)的横向宽度。

6.根据权利要求5所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述栅极注入区(104)的厚度大于所述源极注入区(105)的厚度。

7.根据权利要求1所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述竖直边的高度被设置为使得可以通过改变所述栅极注入区(104)的掺杂浓度而在未通电的情况下，所述栅极注入区(104)的耗尽区和所述阻断注入区(103)的耗尽区之间能够形成沟道。

8.根据权利要求1或7所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述竖直边的高度被设置为使得可以通过改变所述栅极注入区(104)的掺杂浓度从而使在未通电的情况下所述栅极注入区(104)的耗尽区和所述阻断注入区(103)的耗尽区之间不形成沟道。

9.根据权利要求4所述的碳化硅结型场效应管，其特征在于，所述第二连通柱(109)和所述源极注入区(105)的掺杂类型为第一导电类型，所述第一连通柱(110)、所述阻断注入区(103)和所述栅极注入区(104)的掺杂类型为第二导电类型，所述碳化硅衬底(101)和碳化硅外延层(102)的掺杂类型为第一导电类型。