[实用新型]电压转换装置、电源芯片及电子设备

权利要求书

1.一种电压转换装置，其特征在于，所述电压转换装置包括第一NMOS晶体管及电压保持单元，所述电压转换装置用于将属于第一电压范围的输入信号转换为属于第二电压范围的输出信号，其中，

所述第一NMOS晶体管的栅极用于接收输入信号，漏极电连接于所述电压保持单元的第一端，其中，所述电压保持单元的第一端的电压信号为所述输出信号的反向信号；

所述电压保持单元的电源端用于输入第一电源电压，接地端接地，第二端用于产生所述输出信号，其中，当产生所述输入信号的第二电源电压在维持一段时间消失时，所述电压保持单元用于维持第一端的所述输出信号的反向信号的电位，并维持第二端的输出信号的电位。

2.根据权利要求1所述的电压转换装置，其特征在于，所述电压保持单元包括第一反相器及第二反相器，其中，所述第一反相器及所述第二反相器交叉耦合。

3.根据权利要求2所述的电压转换装置，其特征在于，所述第一反相器包括第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，所述第二反相器包括第三NMOS晶体管和第二PMOS晶体管，其中：

所述第二NMOS晶体管的漏极电连接于所述第一PMOS晶体管的漏极、所述第三NMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的栅极及所述第一NMOS晶体管的漏极，用于产生所述输出信号的反向信号，

所述第二NMOS晶体管的栅极电连接于所述第一PMOS晶体管的栅极、所述第三NMOS晶体管的漏极及所述第二PMOS晶体管的漏极，用于产生所述输出信号，

所述第二NMOS晶体管的源极电连接于所述第三NMOS晶体管的源极，用于接地，

所述第一PMOS晶体管的源极电连接于所述第二PMOS晶体管的源极，用于接收所述第一电源电压。

4.根据权利要求3所述的电压转换装置，其特征在于，所述第一NMOS晶体管的源极电连接于所述第二NMOS晶体管的源极、所述第三NMOS晶体管的源极。

5.根据权利要求1所述电压转换装置，其特征在于，所述电压转换装置还包括第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管，其中，

所述第四NMOS晶体管的漏极电连接于所述第一NMOS晶体管的源极，所述第四NMOS晶体管的栅极用于接收所述第二电源电压，所述第四NMOS晶体管的源极接地，

所述第五NMOS晶体管的漏极电连接于所述电压保持单元的第二端，所述第五NMOS晶体管的栅极用于接收所述输入信号的反向信号，

所述第六NMOS晶体管的漏极电连接于所述第五NMOS晶体管的源极，所述第六NMOS晶体管的栅极用于接收所述第二电源电压，所述第六NMOS晶体管的源极接地。

6.根据权利要求1所述的电压转换装置，其特征在于，所述第一电源电压的电压高于所述第二电源电压的电压。

7.一种电源芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1-6任一项所述的电压转换装置。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求7所述的电源芯片。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括便携式计算机、智能手持电子设备。