[实用新型]多晶硅还原炉

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉，其特征在于包括炉体、底盘、第一进气机构、第二进气机构和排气机构，所述炉体固定设置在所述底盘上，且所述炉体与所述底盘围合形成一反应腔室，所述第一进气机构、第二进气机构以及排气机构均与所述反应腔室连通；

所述排气机构包括至少一尾气排出管，所述第二进气机构包括第四进气管，所述第四进气管的局部设置在所述尾气排出管内，且所述第四进气管的一端的出气口自所述尾气排出管伸入反应腔室内；

位于所述尾气排出管内的第四进气管的外部表面还具有沿其长度方向呈螺旋状设置的导流片，至少在所述尾气排出管远离反应腔室的部分区域的内壁上还活动设置有多个扰流片，所述扰流片能够在气流的驱使下摆动。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于：至少位于所述尾气排出管内的部分所述第四进气管的管壁为具有良导热性的导热构件。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述导流片为导热构件，所述导流片与所述尾气排出管无直接接触。

4.根据权利要求1或2所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述导流片的高度为所述第四进气管管径的1/5-1/2。

5.根据权利要求1或2所述的多晶硅还原炉，其特征在于：位于所述尾气排出管内的部分所述第四进气管呈螺旋状分布，位于所述尾气排出管内的所述第四进气管与尾气排出管的内壁无直接接触。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述扰流片沿气流流动的方向倾斜设置在所述尾气排出管的内壁上，所述扰流片的摆动角度大于0°且小于25°。

7.根据权利要求1或6所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述扰流片的一端经一轴体与所述尾气排出管连接，所述扰流片能够以所述轴体为轴摆动；或者，所述扰流片与尾气排出管连接处的厚度小于所述扰流片其他区域的厚度，从而使所述扰流片能够以扰流片与尾气排出管的连接处为中心摆动。

8.根据权利要求1或6所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述扰流片为扇形结构或椭圆形结构。

9.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述第四进气管的出气口还与设置在所述反应腔室内的多个雾化喷嘴连接，与所述第四进气管连接的多个雾化喷嘴呈放射状分布，其中，所述第四进气管还与三氯氢硅供给设备连接，所述第四进气管至少用于输送高压低温的三氯氢硅。

10.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述第一进气机构包括第一进气管、第二进气管和第三进气管，所述第一进气管和第二进气管分别与所述第三进气管连接，所述第三进气管还与所述炉体连接，所述第三进气管的一端的进气口设置在所述反应腔室内，以及，所述第三进气管的进气口还与雾化喷嘴连接，其中，所述第一进气管与氢气供给设备连接，所述第二进气管与三氯氢硅供给设备连接，与所述第三进气管连接的雾化喷嘴设置在所述底盘上。

11.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述底盘上还设置有多个电极，所述多个电极能够与设置在所述反应腔室外部的电源连接，至少所述电极的局部延伸设置在所述反应腔室内，且所述电极上还设置有硅芯。