[实用新型]静电吸盘有效
申请号: | 202022665122.6 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN213366559U | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 郭万里 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,其特征在于,包括吸盘主体、电极及设置在所述吸盘主体的顶部的若干凹槽,所述电极嵌入所述吸盘主体并产生静电以吸附限位在所述凹槽内的芯片,所述静电吸盘配置有电源供应器,用于在接收到第一供电信号时,使所述静电吸盘产生静电,及在接收到第二供电信号时,使所述静电吸盘释放静电。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述凹槽的深度大于或等于所述芯片的厚度。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘,其特征在于,所述凹槽的深度为10μm~150μm。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述凹槽为方形凹槽,且所述凹槽呈矩阵分布。
5.根据权利要求4所述的静电吸盘,其特征在于,所述凹槽的长度和宽度分别大于所述芯片的长度和宽度。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述吸盘主体呈圆盘状,所述吸盘主体的直径为300mm或200mm,所述吸盘主体的厚度为500μm~850μm。
7.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述吸盘主体的材料包括氧化铝、氮化铝、碳化硅、氮化硼或氧化锆。
8.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述吸盘主体的表面涂覆有超疏水性绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述电源供应器还包括设置在所述吸盘主体的内部的内部电源和控制电路,所述电极通过控制电路与所述内部电源连接。
10.根据权利要求9所述的静电吸盘,其特征在于,所述静电吸盘还包括与所述内部电源连接的蓄电部件,所述内部电源通过无线方式或有线方式与外部电源连接。
11.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述电源供应器内部设置有感应线圈,与所述感应线圈连接的储能电容及整流电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造