[实用新型]一种基于光声效应的脉冲光探测器

权利要求书

1.一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的脉冲光探测器从下到上包括衬底、低声学阻抗材料、高声学阻抗材料、压电薄膜、下电极、光声薄膜和上电极，其中衬底位于最下方，低声学阻抗材料位于衬底上方，高声学阻抗材料位于低声学阻抗材料上方，压电薄膜位于高声学阻抗材料上方左侧，下电极位于高声学阻抗材料上方右侧，光声薄膜位于压电薄膜的上方右侧，上电极位于压电薄膜的上方左侧。

2.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的低声学阻抗材料为钛、铝或二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的高声学阻抗材料为钨、钼或金。

4.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的压电薄膜为氮化铝薄膜、氧化锌薄膜、锆钛酸铅薄膜或聚偏氟乙烯薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的光声薄膜为碳纳米管薄膜、碳纳米纤维薄膜或石墨烯薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的上电极和下电极材料为金或铝。

7.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的压电薄膜厚度为500-5000nm。

8.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的光声薄膜厚度为500-2000nm。

9.根据权利要求1所述的一种基于光声效应的脉冲光探测器，其特征在于所述的低声学阻抗材料和高声学阻抗材料呈周期性交替排列。