[实用新型]载台组件有效
申请号: | 202022680164.7 | 申请日: | 2020-11-19 |
公开(公告)号: | CN214203651U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 林俊成;郑耀璇 | 申请(专利权)人: | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/331;H01L33/00 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 | ||
1.一种载台组件,适用于防止基材的非目标面受沉积,其特征在于,所述载台组件包括:
基座,具有圆形凹槽,以使所述基座的中间形成圆形的基材承载座,所述圆形凹槽的外缘与所述基座的外缘之间具有第一距离并形成外墙底座,其中所述外墙底座具有外墙底座内面,而所述外墙底座内面相邻所述圆形凹槽;以及
外墙,沿着所述外墙底座向上延伸,所述外墙具有外墙内面以及外墙内面顶端,所述外墙内面顶端相邻所述外墙内面,而所述外墙内面相邻所述圆形凹槽,其中所述外墙内面顶端为直角形状,而所述外墙内面与所述外墙底座内面彼此切齐;
其中所述圆形凹槽的外缘与所述基材承载座的边缘之间具有第一宽度,以及所述圆形凹槽的底部与所述外墙的顶部具有垂直的第一深度,其中所述第一深度与所述第一宽度的深宽比为1.5-4;
其中所述第一宽度小于或等于5毫米。
2.如权利要求1所述的载台组件,其特征在于,其中所述第一深度与所述第一宽度的所述深宽比为2-2.5;其中所述第一宽度小于或等于2毫米。
3.如权利要求1所述的载台组件,其特征在于,其中所述第一宽度小于或等于1毫米。
4.如权利要求1所述的载台组件,其特征在于,其中所述基座与所述外墙为组合而成,而所述圆形凹槽的底部与所述外墙底座的顶部之间具有凹槽外侧深度,以及所述圆形凹槽的底部与所述基材承载座的顶部具有凹槽内侧深度,其中所述凹槽外侧深度大于、等于或小于所述凹槽内侧深度。
5.如权利要求4所述的载台组件,其特征在于,其中所述凹槽外侧深度大于1毫米;其中所述凹槽内侧深度大于1毫米。
6.如权利要求1所述的载台组件,其特征在于,所述载台组件更包括:
遮蔽顶座,为中空环状圈体,设置于所述外墙的上方,所述遮蔽顶座围绕一个中空部分,而所述中空部分的直径小于所述圆形凹槽的圆形凹槽外缘的直径。
7.如权利要求6所述的载台组件,其特征在于,其中所述遮蔽顶座还包括底部内缘,相邻所述中空部分,而所述底部内缘与所述圆形凹槽的外缘之间具有第三距离,而所述第三距离为1-3毫米;其中所述遮蔽顶座的底部与所述外墙的顶部之间具有第四距离,而所述第四距离为0-3毫米。
8.一种载台组件,适用于防止基材的非目标面受沉积,其特征在于,所述载台组件包括:
基座,具有圆形凹槽,以使所述基座的中间形成圆形的基材承载座,所述圆形凹槽的外缘与所述基座的外缘之间具有第一距离并形成外墙底座,其中所述外墙底座具有外墙底座内面,而所述外墙底座内面相邻所述圆形凹槽;以及
外墙,沿着所述外墙底座向上延伸,所述外墙具有外墙内面,而所述外墙内面相邻所述圆形凹槽,其中所述外墙内面与所述外墙底座内面彼此切齐;
其中在所述基材承载座承载基材时,所述外墙内面与所述基材之间具有第二宽度,以及所述圆形凹槽的底部与所述外墙的顶部具有垂直的第一深度,其中所述第一深度与所述第二宽度的深宽比为1-4;
其中所述基座与所述外墙为组合而成,而所述圆形凹槽的底部与所述外墙底座的顶部之间具有凹槽外侧深度,以及所述圆形凹槽的底部与所述基材承载座的顶部具有凹槽内侧深度,其中所述凹槽外侧深度大于1毫米,以及所述凹槽内侧深度大于1毫米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造