[实用新型]一种基于GO-MoS2 有效
| 申请号： | 202022682847.6 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN213520684U | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 常建华;程腾虎;刘卓瑶;陈思成;刘海洋 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | H01S3/113 | 分类号： | H01S3/113;H01S3/098;H01S3/16;H01S3/08;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210032 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 go mos base sub | ||
1.一种基于GO-MoS2可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于，包括：依次连接的半导体激光器、耦合透镜组、Er：KGW晶体、第一平凹镜、第二平凹镜、反射镜、GO-MoS2可饱和吸收体以及输出镜；
所述Er：KGW晶体一面与耦合透镜组对应，另一面与第一平凹镜的凹面对应，所述第一平凹镜的凹面与第二平凹镜的凹面相对，所述反射镜的反射面朝向第二平凹镜的凹面和GO-MoS2可饱和吸收体的输入端，所述GO-MoS2可饱和吸收体的输出端朝向输出镜，所述GO-MoS2可饱和吸收体与输出镜平行设置。
2. 根据权利要求1所述的基于GO-MoS2可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述Er：KGW晶体朝向耦合透镜组的一面镀有979 nm增透膜和1550 nm高反膜，朝向第一平凹镜的一面镀有1550 nm增透膜。
3. 根据权利要求1所述的基于GO-MoS2可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述第一平凹镜朝向第二平凹镜的凹面镀有1550 nm高反膜。
4. 根据权利要求1所述的基于GO-MoS2可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述第二平凹镜朝向反射镜的凹面镀有1550 nm高反膜。
5. 根据权利要求1所述的基于GO-MoS2可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述反射镜朝向GO-MoS2可饱和吸收体的一面镀有1550 nm高反膜。
6. 根据权利要求1所述的基于GO-MoS2可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述输出镜朝向GO-MoS2可饱和吸收体的一面镀有1550 nm高反膜。
7.根据权利要求6所述的基于GO-MoS2可饱和吸收体的锁模脉冲激光器，其特征在于：所述输出镜的透射率为5%。
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