[实用新型]一种IGBT保护电路

说明书

本实用新型公开了一种IGBT保护电路，包括ACPL‑330J芯片，ACPL‑330J芯片上设有DESAT引脚，ACPL‑330J芯片设有VE引脚，VE引脚和DESAT引脚均通过线缆连接有滤波电容C，滤波电容C通过线缆连接稳压二极管Z，稳压二极管Z通过线缆连接有驱动电源参考地网络VT1‑，稳压二极管通过线缆连接有限流电阻R，限流电阻R通过线缆连接有上拉电阻R，上拉电阻R通过线缆连接有正驱动电源网络PDR1+，上拉电阻R通过线缆连接有快速恢复二极管D，滤波电容C与稳压二极管Z处于并联状态并通过线缆串联在电路中，限流电阻R与上拉电阻R处于并联状态并通过线缆串联在电路中；本一种IGBT保护电路具有保护引脚电压更加稳定、测试不容易误动作、更加可靠的优点。

技术领域

本实用新型涉及IGBT保护技术领域，具体为一种IGBT保护电路。

背景技术

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏。在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。传统的IGBT保护电路未引入上拉电压和上拉电阻，仅依靠IGBT的特性和快速恢复二极管的关断来使保护引脚悬空，进而达到保护的目的。这种方案容易受到保护吸收电容和寄生电容的影响使保护引脚电压不稳，在使用上特别是测试上容易误动作，不够可靠。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种IGBT保护电路，具有保护引脚电压足够稳、测试不易误动作、更加可靠的优点，解决了现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种IGBT保护电路，包括ACPL-330J芯片，所述ACPL-330J芯片上设有DESAT引脚，所述ACPL-330J芯片设有VE引脚，所述VE引脚和DESAT引脚均通过线缆连接有滤波电容C，所述滤波电容C通过线缆连接稳压二极管Z，所述稳压二极管Z通过线缆连接有驱动电源参考地网络VT1-，所述稳压二极管通过线缆连接有限流电阻R，所述限流电阻R通过线缆连接有上拉电阻R，所述上拉电阻R通过线缆连接有正驱动电源网络PDR1+，所述上拉电阻R通过线缆连接有快速恢复二极管D。

优选的，所述滤波电容C与稳压二极管Z处于并联状态并通过线缆串联在电路中。

优选的，所述限流电阻R与上拉电阻R处于并联状态并通过线缆串联在电路中。

优选的，所述快速恢复二极管D右侧通过线缆连接IGBT集电极。

优选的，所述上拉电阻R阻值为8KΩ，所述限流电阻R阻值为150Ω。

优选的，所述滤波电容C电容量为1000P，所述快速恢复二极管D重复峰值反向电压为1600V。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1.本一种IGBT保护电路采用ACPL-330J芯片，通过把芯片的去饱和电压输入引脚经过快速恢复二极管接至IGBT的集电极，利用IGBT导通时的集电极特性，加以上拉电压和电位钳制，使IGBT的保护更为快速精确可靠，采用上拉电阻防止保护吸收电容和寄生电容的影响，使保护引脚电压更加稳定。

附图说明

图1为本实用新型一种IGBT保护电路的整体结构示意图。