[实用新型]用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件

权利要求书

1.一种用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于，包括：

一激光器芯片；

至少两根引线，用于连接外部驱动电信号；

一电容；所述电容的背面与所述激光器芯片共地；所述电容的正面连接其中一所述引线；

一电阻；所述电阻位于所述激光器芯片与所述电容之间；所述电容与所述电阻并联；以及

一金线；所述金线的一端连接所述激光器芯片，金线的另一端连接所述电阻。

2.根据权利要求1所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述金线所产生的自感应电感在0.01nH到10nH之间。

3.根据权利要求1或2所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述激光器芯片与所述电容和电阻密封于一个封装内。

4.根据权利要求1所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于，还包括：一电感；所述电感与所述电阻串联；串联的电感和电阻与所述电容并联；串联的电感和电阻连接所述激光器芯片；串联的电感和电阻位于所述激光器芯片与所述电容之间。

5.根据权利要求4所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述电感、电阻和电容所组成的RLC电路的谐振频率为调制频率的0.5到2倍之间。

6.根据权利要求4或5所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述激光器芯片与所述电感、电容和电阻密封于一个封装内。

7.根据权利要求1或4所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述激光器芯片为多量子阱半导体激光器芯片。

8.根据权利要求1或4所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于，还包括：至少两根传输线；其中一根传输线的一端与第一引线相连，该传输线的另一端连接所述电容的正面；另一根传输线的一端与第二引线相连，该传输线的另一端连接所述激光器芯片的阴极。

9.根据权利要求8所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述激光器芯片固定于一基底上，基底位于一热沉基座上；所述至少两根传输线设置于所述基底上。

10.根据权利要求4所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述电感、电容和电阻集成于同一个基底上。

11.根据权利要求10所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述激光器芯片位于所述电感、电容和电阻所在的基底上；或者，所述激光器芯片位于与所述电感、电容和电阻所在的基底不同的基底上。

12.根据权利要求4所述的用于高速光信号传输的半导体激光器芯片组件，其特征在于：所述电容值在0.01pF到1pF之间；和/或所述电感值在0.01nH到15nH之间；和/或所述电阻阻值在0到50欧姆之间。