[实用新型]耦合固定装置及耦合装置总成有效

专利信息
申请号: 202022692371.4 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN214174761U 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 李俊慧;王旭阳;顿婷婷;郝琰 申请(专利权)人: 北京世维通科技股份有限公司
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/035
代理公司: 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 代理人: 李超;杨仁波
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 耦合 固定 装置 总成
【说明书】:

实用新型提供一种耦合固定装置及耦合装置总成。所述耦合固定装置包括基板固定部和至少一个定轴部,所述基板固定部开设有用于容纳固定铌酸锂薄膜芯片的中心槽,所述中心槽的至少一端开设有基板槽;每个所述基板槽内均设置有一个所述定轴部,所述定轴部与所述基板槽固定连接。将铌酸锂薄膜芯片固定于基板固定部的中心槽内,将锥形透镜光纤固定于定轴部,进行锥形透镜光纤与铌酸锂薄膜芯片中波导的耦合,并在锥形透镜光纤与波导角度对准后,将定轴部固定于基板槽内,实现锥形透镜光纤与波导位置的相对固定,使得铌酸锂薄膜调制器的应用不受锥形光纤与波导位置无法固定的限制,实用性增强,有利于大范围推广应用。

技术领域

本实用新型涉及光波导器件技术领域,具体涉及一种耦合固定装置及耦合装置总成。

背景技术

光通信系统高速化的趋势对高速光电器件提出了很高要求,其中的关键元器件是高速光电调制器,目前采用铌酸锂的外调制器仍然是长途骨干网的最佳选择,这主要是因为铌酸锂基于Pockels效应的优异电光调制特性,特别是铌酸锂调制器在生成高波特率多电平信号方面显示出无与伦比的优势。最近绝缘体上的铌酸锂薄膜已成为一个有前途的平台,能够形成具有良好约束性的波导器件,同时还展示了具有低驱动电压和超高电光带宽的铌酸锂薄膜调制器。由于传统的铌酸锂调制器由低指数对比度波导形成,光学约束较弱,驱动电极必须放置在远离光波导的地方,以尽量减少吸收损耗,从而导致驱动电压增加。因此,传统的铌酸锂调制器体积庞大,调制效率低。铌酸锂薄膜正好可以克服传统铌酸锂调制器的这个弱点,成为一种非常有潜力的新型材料。

铌酸锂薄膜光波导设置于铌酸锂薄膜芯片上,波导的模场仅为光纤模场的1/6左右,二者耦合时,波导两端需进行精细的模斑转换结构设计来提高耦合效率;目前实验室基本都是采用锥形透镜光纤与波导耦合对接进行光电性能指标测试,测试时,在波导两侧分别设置锥形透镜光纤,一侧连接光源,一侧连接光功率计,利用三维调节架分别夹持两侧的锥形透镜光纤,在空间上调节两侧锥形透镜光纤的位置和角度至光的输出功率最大,以完成锥形透镜光纤与波导的耦合,测试完成后,再将锥形透镜光纤由三维调节架上取下,实际应用中,因锥形透镜光纤与波导间的相对位置无法固定,导致铌酸锂薄膜调制器的实用性受限,不利于铌酸锂薄膜调制器的应用推广。

因此,需提出一种耦合固定装置及耦合装置总成。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供一种耦合固定装置及耦合装置总成,通过将铌酸锂薄膜芯片与锥形透镜光纤分别固定于耦合固定装置上,实现两者的相对位置固定,以克服现有技术的缺陷。

本实用新型提供的耦合固定装置包括:基板固定部,所述基板固定部开设有用于容纳固定铌酸锂薄膜芯片的中心槽,所述中心槽的至少一端开设有基板槽;至少一个定轴部,每个所述基板槽内均设置有一个所述定轴部,所述定轴部与所述基板槽固定连接。

可选地,所述中心槽的相对两端分别开设有所述基板槽;所述定轴部的数量为两个,并分别设置于两个所述基板槽内。

可选地,每个所述基板槽的相对两侧均延伸出夹持板。

可选地,所述定轴部上贯穿有通孔,所述锥形透镜光纤穿过所述通孔。

可选地,所述通孔内设置有第一粘接层。

可选地,所述中心槽内设置有第二粘接层。

可选地,所述基板槽的槽底设置为弧形。

可选地,所述耦合固定装置还包括定位标识,所述定位标识用于引导所述铌酸锂薄膜芯片固定于所述中心槽的设定位置,以便所述波导与所述锥形透镜光纤耦合。

本实用新型还提供一种耦合装置总成,包括铌酸锂薄膜芯片、输入端锥形透镜光纤和输出端锥形透镜光纤,还包括上述任一项所述的耦合固定装置。

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