[实用新型]保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置有效

专利信息
申请号: 202022693758.1 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN213244008U 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 陈柳平;王其兵;万相奎 申请(专利权)人: 国开启科量子技术(北京)有限公司
主分类号: H04B10/69 分类号: H04B10/69;H04B10/70;H04B10/079
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 朱丽华
地址: 100097 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 保护 光子 探测器 强光 攻击 标定 参数 自适应 装置
【权利要求书】:

1.一种保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,它包括:控制器、电压控制器、APD高压生成器、电流检测装置、比较器、APD负载电路、参考电压控制单元、采样电压采集组件、光发生器、衰减控制器,

所述控制器的第一控制端与所述电压控制器的控制信号接收端连接;

所述APD高压生成器的电压输入端与所述电压控制器的电压输出端连接,其电平信号接收端与所述比较器的输出端连接;

所述比较器的输入端IN+与所述参考电压控制单元的参考电压输出端连接,其输入端IN-与所述采样电压采集组件连接于电路节点A;

所述电流检测装置的驱动端与所述APD高压生成器的输出端连接,其第一输出端与所述APD负载电路的驱动端连接,其第二输出端经所述电路节点A与所述采样电压采集组件连接;

所述采样电压采集组件一端与所述电路节点A连接,另一端接地或与所述控制器的控制反馈端连接;

所述控制器的光源控制端与所述光发生器连接,所述光发生器与所述衰减控制器连通后与所述APD负载电路连接。

2.根据权利要求1所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述采样电压采集组件一端与所述电路节点A连接,另一端接地,包括,

所述采样电压采集组件为一单独采样电阻,此采样电阻一端与所述电路节点A连接,另一端接地。

3.根据权利要求1所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述采样电压采集组件一端与所述电路节点A连接,另一端接地,包括,

所述采样电压采集组件由一采样电阻和一ADC模数转换电路组成,所述采样电阻的一端和所述ADC模数转换电路的接收端均连接于电路节点A,所述采样电阻的另一端接地,所述ADC模数转换电路的另一端与所述控制器的第三控制端连接。

4.根据权利要求1所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述参考电压控制单元为一芯片或由固定电阻组成。

5.根据权利要求4所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述参考电压控制单元由至少两个固定电阻组成,这两个固定电阻的一端均连接于电路节点B后与所述输入端IN+连通,所述两个固定电阻的另一端均接地。

6.根据权利要求4所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述参考电压控制单元为一芯片时,所述控制器的第二控制端与所述参考电压控制单元的控制信号接收端连接。

7.根据权利要求1所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述APD高压生成器的使能端与所述控制器的使能输出端连接。

8.根据权利要求1所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述APD负载电路由APD负载、一电容和一电阻组成,所述APD负载、所述电容和所述电阻三者并联,一并联端与所述电流检测装置的输出端连接,另一并联端接地。

9.根据权利要求1所述的保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置,其特征在于,所述光发生器发出的光经所述衰减控制器衰减后输入所述APD负载电路,所述电压采集组件持续接收所述APD负载电路接收衰减后光输出的采样电压,并反馈至所述控制器的存储单元中。

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