[实用新型]砷喷射室装置及分子束外延设备有效
申请号: | 202022701489.9 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN214271019U | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 楼厦;倪健;薛聪 | 申请(专利权)人: | 埃特曼(深圳)半导体技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/22;C23C14/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 魏宇星 |
地址: | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷射 装置 分子 外延 设备 | ||
1.一种砷喷射室装置,其特征在于,设置于分子束外延设备,包括:
砷真空腔,用于对所述砷真空腔内的单质砷加热,以得到四砷分子;
热裂解器,用于对所述热裂解器内的四砷分子热裂解处理,以获得砷分子束;
控制阀,所述控制阀的输入端与所述砷真空腔的第一输出端连接,所述控制阀的输出端与所述热裂解器的输入端连接,所述控制阀用于调节进入所述热裂解器内的四砷分子的流量;
砷液化腔,与所述砷真空腔的第二输出端连接,用于液化未反应的所述四砷分子和所述单质砷,以沉积在所述砷液化腔的底部。
2.根据权利要求1所述的砷喷射室装置,其特征在于,所述控制阀包括安全阀、电磁阀或调节阀中任意一种。
3.根据权利要求1所述的砷喷射室装置,其特征在于,所述控制阀为多个。
4.根据权利要求1~3任一项所述的砷喷射室装置,其特征在于,所述砷真空腔包括加热器,所述加热器设置于所述砷真空腔的腔内壁;所述热裂解器包括裂解加热器,所述裂解加热器设置于所述热裂解器的内壁。
5.根据权利要求1~3任一项所述的砷喷射室装置,其特征在于,还包括:
第一开关阀,所述第一开关阀的输出端与所述砷真空腔的输入端口连接,用于控制所述单质砷的投入量。
6.根据权利要求1~3任一项所述的砷喷射室装置,其特征在于,还包括:
自加热开关阀,所述自加热开关阀的输入端与所述热裂解器的输出端连接,所述自加热开关阀的输出端与所述分子束外延设备的内部连通,用于将所述砷分子束投入进所述分子束外延设备,以避免砷分子束沉积在所述自加热开关阀上。
7.根据权利要求1~3任一项所述的砷喷射室装置,其特征在于,还包括:
第二开关阀,用于连接在所述砷真空腔的第二输出端和所述砷液化腔之间。
8.一种分子束外延设备,其特征在于,包括如权利要求1~7任意一项所述的砷喷射室装置。
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