[实用新型]一种基于迪恩涡二次流混合通道的微流控浓度梯度芯片

权利要求书

1.一种基于迪恩涡二次流混合通道的微流控浓度梯度芯片，其特征在于：包括至少两个进液口以及与所述进液口相连通的第一入口通道(1)和第二入口通道(2)，第一入口通道(1)和第一出口(5)通过第一流阻通道(11)直接连通，第二入口通道(2)与出口通道(10)通过第二流阻通道(15)直接连通，第一入口通道(1)通过第一通道(16)与第一连接通道(4)和第二入口通道(2)相连，第一通道(16)分流出第三流阻通道(12)、第四流阻通道(13)、和第五流阻通道(14)，且第一通道(16)通过一第二连接通道(17)引出第六流阻通道(18)，第三流阻通道(12)、第四流阻通道(13)、和第五流阻通道(14)和第六流阻通道(18)通过第一连接通道(4)两两相连，以实现四者相连通，所述第三流阻通道(12)、第四流阻通道(13)、和第五流阻通道(14)和第六流阻通道(18)均通过一混合通道(3)与第二出口(6)、第三出口(7)、第四出口(8)和第五出口(9)依次相连，混合通道(3)的两侧交错分布了向外凸起的椭圆以形成微混合通道。

2.根据权利要求1所述的一种基于迪恩涡二次流混合通道的微流控浓度梯度芯片，其特征在于：所述微混合通道具有至少一个方波周期。

3.根据权利要求1所述的一种基于迪恩涡二次流混合通道的微流控浓度梯度芯片，其特征在于：各所述混合通道(3)两侧均设置有至少一个凸起，各个凸起呈交错分布。

4.根据权利要求1所述的一种基于迪恩涡二次流混合通道的微流控浓度梯度芯片，其特征在于：各所述混合通道(3)的宽度均为50-200微米，半圆凸起半径为50-100微米。

5.根据权利要求1所述的一种基于迪恩涡二次流混合通道的微流控浓度梯度芯片，其特征在于：所述混合通道(3)的蚀刻深度为50-200微米之间。