[实用新型]一种应用传输门的调阻电路有效

专利信息
申请号: 202022707458.4 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN214544266U 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 何均 申请(专利权)人: 成都思瑞浦微电子科技有限公司
主分类号: H03K17/06 分类号: H03K17/06;H03K17/08;H03G3/30
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉
地址: 641400 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用 传输 电路
【权利要求书】:

1.一种应用传输门的调阻电路,所述传输门通过节点A、节点B与电阻两端相接并联,传输门完全导通状态下,并联电路的电阻阻值对应传输门的开关电阻;传输门完全关断状态下,并联电路的电阻阻值对应所并联的电阻,其特征在于:所述传输门由NMOS管和PMOS管相接构成,其中PMOS管MP0、MP1的共源极与常压PMOS上拉管MP2的漏极相连接,上拉管MP2的源极与电路最高电压VH相连接,NMOS管MN0、MN1的共源极与常压NMOS管下拉管MN2的漏极相连接,下拉管MN2的源极接地,其中PMOS管MP0和NMOS管MN0的共漏极为节点A,PMOS管MP1和NMOS管MN1的共漏极为节点B,所述传输门随PMOS管MP0、MP1的栅极和NMOS管MN0、MN1的栅极接入电压调整而完全关断或完全导通。

2.根据权利要求1所述应用传输门的调阻电路,其特征在于:所述PMOS管MP0、MP1的栅极与电路最高电压VH相连接,且PMOS管MP0、MP1的共源极通过上拉管MP2拉至栅源等压,PMOS管MP0、MP1完全关断,所述NMOS管MN0、MN1的栅极接地,且NMOS管MN0、MN1的共源极通过下拉管MN2拉至栅源等压,NMOS管MN0、MN1完全关断,在节点A、节点B出现高低压切换时,传输门完全关断。

3.根据权利要求1所述应用传输门的调阻电路,其特征在于:所述PMOS管MP0、MP1的栅极接地,所述NMOS管MN0、MN1的栅极与电路最高电压VH相连接,在节点A、节点B无高压时上拉管MP2和下拉管MN2关闭,传输门完全导通。

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