[实用新型]一种具有隔离功能的脉冲电压控制电路

权利要求书

1.一种具有隔离功能的脉冲电压控制电路，包括隔离DC/DC电源模块(1)，其特征在于，还包括依次连接的供电单元Ⅰ(2)、供电单元Ⅱ(3)、脉冲信号隔离单元(4)和功率MOSFET驱动单元(5)，所述的供电单元Ⅰ(2)和供电单元Ⅱ(3)与隔离DC/DC电源模块(1)连接；

所述的供电单元Ⅰ(2)为脉冲信号隔离单元(4)初级侧提供工作电压；

所述的供电单元Ⅱ(3)为脉冲信号隔离单元(4)次级侧和功率MOSFET驱动单元(5)提供工作电压；

所述的脉冲信号隔离单元(4)用于将检测到脉冲信号进行隔离处理后输出到功率MOSFET驱动单元(5)的输入端口；

所述的功率MOSFET驱动单元(5)用于接收脉冲信号隔离单元(4)输出信号，并进行内部逻辑转换处理，从而实现脉冲电压信号的输出。

2.如权利要求1所述的具有隔离功能的脉冲电压控制电路，其特征在于，所述的供电单元Ⅰ(2)包括并联的稳压二极管Z1和滤波电容C1，所述的稳压二极管Z1的阳极和隔离DC/DC电源模块(1)的GND1端连接，稳压二极管Z1的阴极通过限流电阻R1和隔离DC/DC电源模块(1)的VIN+端连接；

所述的限流电阻R1一端和隔离DC/DC电源模块(1)的VIN+端连接，另一端与脉冲信号隔离单元(4)连接。

3.如权利要求2所述的具有隔离功能的脉冲电压控制电路，其特征在于，所述的供电单元Ⅱ(3)由限流电阻R3、稳压二极管Z2、滤波电容C3组成；

所述的限流电阻R3一端和隔离DC/DC电源模块(1)的VOUT+端连接，另一端分别与稳压二极管Z2阴极、功率MOSFET驱动单元(5)、脉冲信号隔离单元芯片U1的8端子连接，稳压二极管Z2和滤波电容C3并联，稳压二极管Z1阳极和隔离DC/DC电源模块(1)的GND2端连接。

4.如权利要求3所述的具有隔离功能的脉冲电压控制电路，其特征在于，所述的脉冲信号隔离单元(4)包括电阻R2，所述的电阻R2一端和脉冲信号源VPULSE连接，电阻R2的另一端分别和滤波电容C2一端、脉冲信号隔离单元芯片U1的2端子连接，滤波电容C2另一端和脉冲信号隔离单元芯片U1的4端子、隔离DC/DC电源模块(1)的GND1端连接；

脉冲信号隔离单元芯片U1的1端子、U1的3端子和供电单元Ⅰ(2)中稳压二极管Z1阴极连接，脉冲信号隔离单元芯片U1的8端子分别和供电单元Ⅱ(3)中稳压二极管Z2阴极连接、功率MOSFET驱动单元(5)连接，脉冲信号隔离单元芯片U1的6端子和驱动电阻R4一端连接，驱动电阻R4另一端和功率MOSFET驱动单元(5)连接，脉冲信号隔离单元芯片U1的5端子、脉冲信号隔离单元芯片U1的7端子连接后和隔离DC/DC电源模块(1)的GND2端子连接。

5.如权利要求4所述的具有隔离功能的脉冲电压控制电路，其特征在于，所述的功率MOSFET驱动单元(5)包括驱动芯片U2，所述的驱动芯片U2的6端子和U2的7端子相连，驱动芯片U2的7端子与隔离二极管D1的阳极连接，隔离二极管D1的阴极分别和滤波电容C4一端、驱动芯片U2的8端子连接，滤波电容C4另一端分别和驱动芯片U2的2端子、功率MOSFET Q1的源极、功率MOSFET Q2的漏极、滤波电容C5一端连接，功率MOSFET Q1漏极和VOUT+端子连接，功率MOSFET Q2的源极分别和驱动芯片U2的4端子、隔离DC/DC电源模块(1)的GND2端、滤波电容C5另一端连接，驱动芯片U2的1端与功率MOSFET Q1的栅极连接，驱动芯片U2的3端与功率MOSFET Q2的栅极连接。