[实用新型]一种PI蚀刻液电解再生系统

说明书

本实用新型涉及一种PI蚀刻液电解再生系统，属于蚀刻液电解技术领域。包括PI蚀刻液储槽、泵、过滤器和电解再生装置，所述的过滤器设置在PI蚀刻液储槽底部循环PI蚀刻液储槽内的PI蚀刻液，所述的电解再生装置设置在PI蚀刻液储槽的一侧，电解再生装置与PI蚀刻液储槽相通，PI蚀刻液储槽内的PI蚀刻液从PI蚀刻液储槽的槽体底部通过泵抽至电解再生装置内，电解再生装置电解再生后将PI蚀刻液再抽回PI蚀刻液储槽。本实用新型的有益效果是：本实用新型通过电解再生装置，提高药液中高锰酸根离子浓度，延长药液寿命，节省药水成本；减少药液使用，将产生的无用成分回收利用，减少废液产生，减少环境污染，降低废水处理成本。

技术领域

本实用新型涉及一种PI蚀刻液电解再生系统，属于蚀刻液电解技术领域。

背景技术

随着电子设备的小型化，线路板的尺寸也越来越小，线路越来越细。线路越细，铜线路与PI基底的接触面积越小，结合力越低，线路容易剥离，导致电气性能失效。为了提高铜线路与PI基底的结合力，基材厂商开发出新型结构的铜箔基材，包含PI层、Ni-Cr种子层、铜箔层。首先通过溅射工艺，将高能量Ni-Cr金属离子直接轰击在PI上，金属离子嵌入PI表层纳米级深度，提供导电层，然后在Ni-Cr种子层上电镀铜。此方法得到的基材铜的结合力大大提升，但是在通过溅射工艺将Ni-Cr金属离子轰击在PI上时，会有少量Ni-Cr金属粒子轰击嵌入到PI层内部。

采用上述基材制作线路时，一般先进行常规蚀刻，将表层的铜蚀刻成需要的线路，此时底部还有Ni-Cr种子层将所有线路短路。再通过种子层蚀刻药水将线间部分的Ni-Cr金属层蚀刻掉，此方法只能蚀刻掉PI表层的Ni-Cr金属层，嵌入PI内部的少量Ni-Cr无法完全去除，会造成线路微短路。为了提高线路间的绝缘性，需将线间部分嵌入PI的Ni-Cr金属全部去除。使用碱性高猛酸钠蚀刻液可对线间裸露的PI树脂进行分解蚀刻，控制PI的蚀刻量，去掉非常薄的一层PI，线间部分嵌入PI内的Ni-Cr金属粒子即可去除。

常规方法中，药液中的主成分高锰酸钠会不断消耗，浓度不断降低，浓度降低到一定程度时，需要补充或更换新药液，药液成本高。此外，高锰酸钠还会发生自分解反应，加速高锰酸钠的消耗，缩减药液寿命。废液中含有强氧化的高锰酸根离子和锰酸根离子，环境污染性强，处理困难，需要委托有资质的专业机构进行处理，处理成本高。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的不足之处，本实用新型提供一种PI蚀刻液电解再生系统，将无用的锰酸根离子再生为有用的高锰酸根离子，提高药液使用寿命，减少废液排放。

本实用新型是通过如下技术方案实现的：一种PI蚀刻液电解再生系统，其特征在于：包括PI蚀刻液储槽、泵、过滤器和电解再生装置，所述的过滤器设置在PI蚀刻液储槽底部循环PI蚀刻液储槽内的PI蚀刻液，所述的电解再生装置设置在PI蚀刻液储槽的一侧，电解再生装置与PI蚀刻液储槽相通，PI蚀刻液储槽内的PI蚀刻液从PI蚀刻液储槽的槽体底部通过泵抽至电解再生装置内，电解再生装置电解再生后将PI蚀刻液再抽回PI蚀刻液储槽。

所述的电解再生装置包括阳极、阴极和排气管，阳极连接电源正极，阴极连接电源负极，排气管设置在电解再生装置的顶部，排气管连接至废气处理装置。

所述的阳极发生的阳极反应为MnO₄^2- -e^- → MnO₄^-，阴极发生阴极反应为2H₂O +2e^- → 2OH^- + H₂，锰酸根离子在阳极被再生为高锰酸根离子。

所述的PI蚀刻液储槽底部的过滤器连接有循环泵增加PI蚀刻液的流动。

所述的电解再生装置能直接安装在PI蚀刻液储槽内，电解再生装置的阳极和阴极直接与PI蚀刻液发生反应。