[实用新型]硅基光斑模场转化器有效
| 申请号： | 202022727394.4 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN213517647U | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 沈笑寒;陈奔;朱宇;王皓;邢园园;杨凌冈 | 申请（专利权）人： | 亨通洛克利科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/14 | 分类号： | G02B6/14 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 马振华 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光斑 转化 | ||
1.一种硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述硅基光斑模场转化器包括：第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导；
所述第一模斑转化器波导位于所述第二模斑转化器波导的顶面上，且其一端的端面与所述第二模斑转化器波导一端的端面对齐；
所述第一模斑转化器波导一端形成第一单模波导，其余部分的宽度沿远离所述第一单模波导的方向非线性减小；所述第二模斑转化器波导另一端形成第二单模波导，其余部分的宽度沿靠近所述第二单模波导的方向线性减小。
2.根据权利要求1所述的硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述第一模斑转化器波导位于所述第二模斑转化器波导的顶面的中间位置。
3.根据权利要求1或2所述的硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导均左右对称设置。
4.根据权利要求1所述的硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述第一单模波导内部的TE或TM基模的光场能量分布能够与单模光纤匹配。
5.根据权利要求1或4所述的硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述第二单模波导内部的TE或TM基模的光场能量分布能够与单模硅基波导匹配。
6.根据权利要求1所述的硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述硅基光斑模场转化器还包括光纤座；
所述光纤座上开设有V型槽，所述光纤座形成于所述第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导对齐的端面上。
7.根据权利要求6所述的硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述V型槽的两个壁面的法线交点与收容于所述V型槽中的光纤的轴线重合。
8.根据权利要求6所述的硅基光斑模场转化器，其特征在于，所述光纤座通过刻蚀方式一体形成于所述第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导对齐的端面上。
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