[实用新型]检测系统

说明书

本申请的检测系统包括承载装置和探测装置。承载装置用于承载待检测件，承载装置设有贯穿孔，待检测件包括相背的第一待检面和第二待检面；探测装置包括第一检测单元和第二检测单元，第一检测单元和第二检测单元设置在承载装置的相背两侧，第一检测单元与第一待检面相对，第二检测单元与第二待检面相对，第二检测单元用于检测第二待检面中与贯穿孔对应的第一待检区域的缺陷，第一检测单元用于检测第一待检面中的第二待检区域的缺陷，第一待检区域与第二待检区域位置对应。检测系统能够同时对第一待检面和第二待检面进行检测，检测效率较高。

技术领域

本申请涉及检测技术领域，特别涉及一种检测系统。

背景技术

在晶圆电路层制作完成后，需要对硅片进行背面减薄抛光，然后贴背胶膜，进行烘烤后，在背胶膜上激光打标。由于工艺的问题，晶圆正面可能如晶粒出现短路、断路等缺陷，而晶圆背面的背胶膜也可能存在气泡、褶皱、破裂等缺陷，因此，需要对正面和背面均进行检测。目前，对晶圆检测时，一般先进行正面的检测，然后将晶圆翻转后进行背面的检测，一方面检测时间较长，另一方面后期需另将正面和背面的检测信息进行对应及关联处理，检测效率较低。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的实施方式提供了一种检测系统。

本申请实施方式的检测系统包括承载装置和探测装置。所述承载装置用于承载待检测件，所述承载装置设有贯穿孔，所述待检测件包括相背的第一待检面和第二待检面；所述探测装置包括第一检测单元和第二检测单元，所述第一检测单元和所述第二检测单元设置在所述承载装置的相背两侧，所述第一检测单元与所述第一待检面相对，所述第二检测单元与所述第二待检面相对，所述第二检测单元用于检测所述第二待检面中与所述贯穿孔对应的第一待检区域的缺陷，所述第一检测单元用于检测所述第一待检面中的第二待检区域的缺陷，所述第一待检区域与所述第二待检区域位置对应。

本申请实施方式的检测方法用于检测待检测件相背的第一待检面和第二待检面，所述检测方法包括：安装所述待检测件于所述承载装置，所述承载装置设有贯穿孔；通过第二检测单元对所述第二待检面中与所述贯穿孔对应的第一待检区域进行检测处理；及通过第一检测单元对所述第一待检面中与所述第二待检面上对应的位置的第二待检区域进行检测处理。

本申请实施方式的检测系统和检测方法通过在承载装置上开设贯穿孔，并设置与待检测件的相背两面分别相对的第一检测单元和第二检测单元，使得第二检测单元能够通过贯穿孔对待检测件的第二待检面中与贯穿孔对应的第一待检区域的进行检测的同时，第一检测单元能够检测与第一待检区域对应的第二待检区域，从而一次性实现对待检测件的两个面同时进行检测，检测效率较高。

本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请某些实施方式的检测系统的结构示意图；

图2是本申请某些实施方式的检测系统的平面示意图；

图3是本申请某些实施方式的承载装置的立体组装示意图；

图4是本申请某些实施方式的承载装置的立体分解示意图；

图5是本申请某些实施方式的承载装置的气路的放大示意图；

图6是本申请某些实施方式的承载面的承载区域的示意图；及

图7至图10是本申请某些实施方式的检测方法的流程示意图。

具体实施方式