[实用新型]一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件

权利要求书

1.一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，其特征在于，包括衬底层(1)、绝缘介质层(2)、保护层a层(3a)和保护层b层(3b)、InSe层(4)、源电极(5a)、漏电极(5b)、顶栅门电极(6)、天线(7)；所述衬底层水平设置在最下层，所述绝缘介质层水平设置在衬底的上表面上，所述保护层a层水平设置在绝缘介质层的上表面上，所述InSe层(4)平行设置在保护层a层(3a)上方，保护层b层(3b)为水平设置在InSe层上方，保护层b层完全覆盖InSe层；所述源电极(5a)、漏电极(5b)设置在InSe材料相对的两侧，并且源电极、漏电极分别覆盖裸漏的InSe边缘，所述顶栅门电极(6)位于保护层b层(3b)上方位置，且与内部InSe无接触；所述天线(7)分别均与源极和栅极远离InSe材料侧的侧边相连。

2.按照权利要求1所述的一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，其特征在于，所述的衬底层为正方形，边长为1-5cm，厚度为100-500μm，电阻率大于10000Ω·cm，材质为单晶高阻硅片、金刚石薄膜、TPX中的一种。

3.按照权利要求1所述的一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，其特征在于，绝缘介质层为正方形，与衬底层边长同尺寸，边长为1-5cm，厚度为0.2-1μm，介电常数为1-10；材质为二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪中的一种。

4.按照权利要求1所述的一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，其特征在于，所述的保护层a层和b层，用于封装InSe材料，使其工作环境保持洁净，且b层作为栅介质，用于电场调控InSe层的电子气浓度；所述的InSe层材料为多层InSe材料，厚度为4-10nm，呈现为条带图形，能够提供二维电子气，产生等离子体波，用于太赫兹波检测。

5.按照权利要求1所述的一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，其特征在于，所述的源电极、漏电极和顶栅门电极(6)为金、钛、镍、铬中的一种或几种的复合，复合时采用上下层结构；源电极、漏电极和顶栅门电极(6)的长度均为8mm-40mm，宽为0.5mm-5mm，厚度为10-100nm，电导率为2×10⁵-6×10⁷S/m。

6.按照权利要求1所述的一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，其特征在于，所述天线为蝶形天线结构，即两扇形相对，中心角处对应的边相对，每个扇形的中心角处对应的边分别与源电极(5a)、漏电极(5b)连接。