[实用新型]晶体掺杂装置

权利要求书

1.一种晶体掺杂装置，设置于一坩埚上方，其特征在于，包括：

一罩盖，内部具有一容置空间，且具有朝向所述坩埚方向的一开口；

一容杯，设置于所述容置空间中，且用以容置一掺杂物，所述容杯底部呈锥形并具有一开孔；以及

一缓冲件，设置于所述容置空间中且位于所述容杯下方，所述缓冲件具有一承接面及一出料部，所述承接面呈倾斜设置且位于所述开孔的正下方，所述出料部连接于所述承接面且位置低于所述承接面。

2.如权利要求1所述的晶体掺杂装置，其中，所述容杯具有一中心轴线，所述缓冲件具有一锥孔，所述锥孔的一孔壁构成所述承接面，所述锥孔具有一下开孔构成所述出料部，定义有一第一参考面垂直所述中心轴线，所述容杯之所述开孔具有投影于所述第一参考面上的一第一投影面，所述下开孔具有投影于所述第一参考面上之第二投影面，其中所述第一投影面与所述第二投影面彼此不相交。

3.如权利要求2所述的晶体掺杂装置，其中，所述开孔具有一第一中心点，所述锥孔的下开孔具有一第二中心点，所述第一中心点与所述第二中心点两者中的至少一者与所述中心轴线具有一间距。

4.如权利要求3所述的晶体掺杂装置，其中，所述第一中心点与所述中心轴线间具有一第一间距，所述第二中心点与所述中心轴线间具有一第二间距，所述第一间距等于所述第二间距。

5.如权利要求3所述的晶体掺杂装置，其中，所述间距大于等于3mm。

6.如权利要求3所述的晶体掺杂装置，其中，所述间距大于等于所述容杯内半径的8％且小于等于容杯内半径的30％。

7.如权利要求2所述的晶体掺杂装置，其中，定义有一第二参考面通过所述中心轴线并垂直于所述第一参考面，所述容杯底部与所述第二参考面相交于两条第一线段，各所述第一线段间之夹角大于等于50度且小于等于70度。

8.如权利要求7所述的晶体掺杂装置，其中，所述缓冲件之所述承接面与所述第二参考面相交于两条第二线段，各所述第二线段间之夹角大于等于50度且小于等于70度。

9.如权利要求1所述的晶体掺杂装置，其中，所述罩盖内壁具有相对设置的两个卡槽，所述容杯具有相对设置的两个凸耳，所述容杯之凸耳能拆离地设置于所述罩盖之卡槽中。

10.如权利要求9所述的晶体掺杂装置，其中，各所述卡槽具有一朝上的上开放端，各所述凸耳系由各所述上开放端进入各所述卡槽。

11.如权利要求1所述的晶体掺杂装置，其中，所述罩盖内壁具有相对设置的两个卡槽，所述缓冲件具有相对设置的两个凸耳，所述缓冲件之凸耳能拆离地设置于所述罩盖之卡槽中。

12.如权利要求11所述的晶体掺杂装置，其中，各所述卡槽具有一朝上的上开放端，各所述凸耳系由各所述上开放端进入各所述卡槽。

13.如权利要求1所述的晶体掺杂装置，其中，所述罩盖于所述开口的周缘具有相对设置的至少两个第一凹槽，所述至少两个第一凹槽是自所述开口的周缘凹陷形成。

14.如权利要求13所述的晶体掺杂装置，其中，所述至少两个第一凹槽之槽底距离所述开口之最小距离大于等于5mm且小于等于15mm。

15.如权利要求13所述的晶体掺杂装置，其中，所述至少两个第一凹槽之槽宽满足大于等于所述罩盖内直径之25％且小于等于50％之条件。