[实用新型]一种芯片的封装结构

说明书

本实用新型涉及一种芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其芯片Ⅰ（21）设置于基板（10）的内部的绝缘层中，所述芯片Ⅱ（31）通过芯片Ⅱ下金属凸块（33）、金属连接件Ⅱ（35）倒装于基板（10）的上表面与最上层的上层金属层（12）的上表面倒装连接，所述芯片Ⅱ底填料（37）于基板（10）上方填充芯片Ⅱ下金属凸块（33）周围空间，并于芯片Ⅱ（31）的正面的中央形成填充空腔（4），所述空腔（4）内设置若干个无源器件（5）。本实用新型提供了一种符合微型化和集成化封装趋势的芯片封装结构。

技术领域

本实用新型涉及一种芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。

背景技术

随着技术的发展，芯片封装尺寸越来越趋近于微型化和集成化。常用的芯片封装结构采用芯片倒装于基板的模式，多芯片的封装结构往往采用在原有基板之上层层叠加其他功能芯片或无源器件实现三维封装，这种封装结构显得臃肿、芯片与芯片之间的关系变得复杂，这显然与芯片封装的趋势相违背。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种符合微型化和集成化封装趋势的芯片封装结构。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型提供了一种芯片封装结构，其包括基板、芯片Ⅰ、芯片Ⅰ上金属凸块、芯片Ⅱ、芯片Ⅱ下金属凸块、芯片Ⅱ底填料和无源器件，所述基板为包含多层金属层和绝缘层的高密度再布线金属层，所述各金属层彼此之间选择性连接，所述绝缘层填充于各金属层之间，所述芯片Ⅰ设置于基板的内部的绝缘层中，其上方设置至少一层上层金属层、其下方设置至少一层下层金属层，所述芯片Ⅰ通过芯片Ⅰ上金属凸块与相邻的上层金属层的下表面正装连接；

所述芯片Ⅱ下金属凸块的顶端设置金属连接件Ⅱ，所述金属连接件Ⅱ为焊球或焊块，所述芯片Ⅱ通过芯片Ⅱ下金属凸块、金属连接件Ⅱ倒装于基板的上表面与最上层的上层金属层的上表面倒装连接，所述芯片Ⅱ下金属凸块分布于芯片Ⅱ的正面的中央四周，所述芯片Ⅱ底填料于基板上方填充芯片Ⅱ下金属凸块周围空间，并于芯片Ⅱ的正面的中央形成填充空腔，所述空腔内设置若干个无源器件，所述无源器件为电阻、电感或电容，所述无源器件与基板连接。

进一步地，还包括围坝，所述围坝设置于无源器件的外围，并与基板连接，所述围坝连续分布，所述围坝呈圆形、椭圆形、矩形、□形或多边形。

进一步地，还包括围坝，所述围坝设置于无源器件的外围，并与基板连接，所述围坝不连续分布，所述围坝呈圆形、椭圆形、矩形、□形或多边形。

进一步地，还包括金属连接件Ⅰ，所述金属连接件Ⅰ与基板的下层金属层连接。

进一步地，所述金属连接件Ⅰ为焊球或焊块。

有益效果

本实用新型提出的芯片封装结构，通过利用高密度再布线金属层取代现有基板形成新型基板，在新型基板中设置若干个芯片Ⅰ，并将芯片Ⅱ的输入/输出端设置至芯片Ⅱ的正面的外围，结合围坝的使用，使芯片Ⅱ与新型基板之间形成可以容纳无源器件的空腔，使芯片封装在满足微型化的同时，其集成化程度更高，符合微型化和集成化封装趋势的。

附图说明

图1为本实用新型一种芯片封装结构的结构示意图及其仰视图；

图2至图4为图1中基板、围坝、芯片Ⅱ下金属凸块相对位置的示意图；

图中：

基板10

上层金属层12

下层金属层14

金属连接件Ⅰ16

芯片Ⅰ21

芯片Ⅰ上金属凸块23

芯片Ⅱ31