[实用新型]一种AlGaN基深紫外LED外延片有效
| 申请号： | 202022742461.X | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN213816179U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;杨金铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 武志峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algan 深紫 led 外延 | ||
1.一种AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，包括：生长在蓝宝石衬底上的SiN层、生长在所述SiN层上的多个GaN纳米柱、对应包裹在所述多个GaN纳米柱外层的多个AlN纳米柱壳层、对应包裹在所述多个AlN纳米柱壳层外层的多个AlGaN纳米柱壳层、生长在所述多个AlGaN纳米柱壳层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。
2.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，单个所述GaN纳米柱的直径为50～200nm，高度为300～2000nm。
3.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，单个所述AlN纳米柱壳层的厚度为50～150nm。
4.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，单个所述AlGaN纳米柱壳层的厚度为50～150nm。
5.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述非掺杂AlGaN层的厚度为500～800nm。
6.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述n型掺杂AlGaN层的厚度为3～5μm。
7.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述AlGaN多量子阱层由7～10个周期的Al0.3Ga0.7N阱层和Al0.5Ga0.5N垒层构成。
8.根据权利要求7所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述Al0.3Ga0.7N阱层的厚度为2～3nm，所述Al0.5Ga0.5N垒层的厚度为10～13nm。
9.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述电子阻挡层为Al0.4Ga0.6N电子阻挡层。
10.根据权利要求9所述的AlGaN基深紫外LED外延片，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为20～50nm。
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