[实用新型]一种真空灭弧室及真空灭弧室的主屏蔽罩有效
申请号: | 202022746007.1 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN214203559U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 刘世柏;亓春伟;齐大翠;李小钊;刘畅;谷凤娟;刘心悦;赵芳帅;李锟;焦淑敏;海竣超;尹婷;王茜;薛从军;马雪飞;白丽娜;孙宇;陈高攀;霍然;姚新伟 | 申请(专利权)人: | 平高集团有限公司;天津平高智能电气有限公司;国家电网有限公司 |
主分类号: | H01H33/664 | 分类号: | H01H33/664;H01H33/662 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 胡晓东 |
地址: | 467001 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 灭弧室 屏蔽 | ||
本实用新型涉及一种真空灭弧室及真空灭弧室的主屏蔽罩。真空灭弧室,包括:外壳,沿真空灭弧室轴向对接,用于围成真空腔室;金属中封环,焊接固定在两段外壳之间,其上固定有主屏蔽罩;动触头和静触头,用于实现真空灭弧室的分合闸;主屏蔽罩包括:金属外筒,金属外筒的外周面上设有环形凸起,环形凸起形成中封环连接部位,用于与真空灭弧室的外壳上的金属中封环焊接固定;陶瓷屏蔽层,设置在金属外筒的径向内侧,为筒状结构,用于包围动触头和静触头所对应的断口。上述方案能够解决现有技术中的真空灭弧室绝缘性能受金属蒸气影响大而不利于小型化的问题。
技术领域
本实用新型涉及一种真空灭弧室及真空灭弧室的主屏蔽罩。
背景技术
随着电力工业的不断发展及社会对环保要求的提高,真空灭弧室正在向高电压的输配电方向发展,应用真空灭弧室的开关设备也在向着高电压、小型化方向发展。真空灭弧室的体积对开关设备的整体体积来说是重要因素,因此,真空灭弧室的高电压、小型化是开关设备小型化的基础。然而,随着电压等级的提高,对真空灭弧室产品内部绝缘性能的要求也越来越高,体积小型化问题更加突出。
现有的真空灭弧室如公开号为CN208548315U的中国专利文献中公开的一种真空灭弧室,包括中空的外壳,外壳的轴向两端设有静触头组件和动触头组件,外壳内于轴向中部设有屏蔽筒。其中静触头组件包括静导电杆和静触头,动触头组件包括动导电杆、波纹管以及动触头,动导电杆导向设置在导向套中;外壳为相互拼接的两段式结构,两段外壳之间通过中封环固定连接;屏蔽筒形成主屏蔽罩,用于包围在动触头和静触头所对应的断口处的外侧,其外周面上设有环形限位凸起(即上述专利文献中的限位裙边),用于固定到中封环上,用于起到均衡电场的作用。
但是,动静触头分合闸时会出现燃弧,燃弧会形成金属蒸气,金属蒸气吸附到外壳的内壁面上以后会减弱外壳的内壁面沿灭弧室轴向的绝缘性能,从而需要灭弧室的轴向尺寸较大才能满足真空灭弧室内的绝缘需求,不利于灭弧室小型化,也会增加相应开关产品的安装空间需求,导致成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种真空灭弧室的主屏蔽罩,解决现有技术中的真空灭弧室绝缘性能受金属蒸气影响大而不利于小型化的问题。另外,本实用新型的另一个目的是提供一种真空灭弧室,能够更容易地实现小型化。
本实用新型中真空灭弧室的主屏蔽罩采用如下技术方案:
真空灭弧室的主屏蔽罩,所述主屏蔽罩包括:
金属外筒,金属外筒的外周面上设有环形凸起,环形凸起形成中封环连接部位,用于与真空灭弧室的外壳上的金属中封环焊接固定;
陶瓷屏蔽层,设置在金属外筒的径向内侧,为筒状结构,用于包围动触头和静触头所对应的断口。
有益效果:采用上述技术方案,主屏蔽罩包括陶瓷屏蔽层,相比于现有技术中全金属材质的屏蔽罩,耐高温性能更好,能够避免在电弧的烧蚀下产生金属蒸气,从而改善真空灭弧室绝缘性能受金属蒸气影响大的问题,并且陶瓷表面的孔隙相比于金属有利于吸附金属蒸气,从而有利于真空灭弧室的小型化;另外,金属外筒能够方便地实现陶瓷屏蔽层的设置,固定方便,固定强度好。
作为一种优选的技术方案:所述陶瓷屏蔽层为喷涂在金属外筒内壁上的陶瓷喷涂层。
有益效果:采用上述技术方案制造方便,适合于批量生产。
作为一种优选的技术方案:所述陶瓷屏蔽层的轴向端部与金属外筒的对应端端部对齐。
有益效果:采用上述技术方案有利于提高陶瓷屏蔽区域。
作为一种优选的技术方案:所述金属外筒的轴向两端、陶瓷屏蔽层的轴向两端均为收口结构。
有益效果:采用上述技术方案能够起到更好的防护效果,也有利于增强陶瓷屏蔽层与金属外筒的固定可靠性。
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