[实用新型]边发射半导体激光器有效
申请号: | 202022746360.X | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN213401853U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 杨明来 | 申请(专利权)人: | 浙江长芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/20 | 分类号: | H01S5/20;H01S5/02253;H01S5/18 |
代理公司: | 杭州润涞知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33358 | 代理人: | 黎慧华 |
地址: | 310000 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 半导体激光器 | ||
1.一种边发射半导体激光器,其特征在于,包括:光波导、高阶非球面快轴准直镜和高阶非球面慢轴准直镜;光波导具有N型衬底层,高阶非球面快轴准直镜和高阶非球面慢轴准直镜均形成在N型衬底层上。
2.如权利要求1所述的边发射半导体激光器,其特征在于,光波导还具有沿垂直于N型衬底层的Z方向依次设置在N型衬底层上的N型包层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层和P型掺杂盖层。
3.如权利要求2所述的边发射半导体激光器,其特征在于,定义N型衬底层所在的平面为X-Y面,X方向与Y方向垂直;
P型掺杂盖层在Y方向上的长度小于其他各层,且为沿X方向延伸的条状结构;或者
P型掺杂盖层和P型包层的一部分在Y方向上的长度小于P型包层的另一部分和其他各层,且为沿X方向延伸的条状结构;或者
P型掺杂盖层和P型包层在Y方向上的长度小于其他各层,且为沿X方向延伸的条状结构;或者
P型掺杂盖层、P型包层和P型波导层的一部分在Y方向上的长度小于P型波导层的另一部分和其他各层,且为沿X方向延伸的条状结构。
4.如权利要求3所述的边发射半导体激光器,其特征在于,光波导沿X方向具有第一侧面和第二侧面,第一侧面形成有高反膜;第二侧面形成有增透膜,构成光波导的出光面。
5.如权利要求4所述的边发射半导体激光器,其特征在于,高阶非球面快轴准直镜在X方向上具有第一侧面和第二侧面,第一侧面为沿Y方向延伸的曲面,第二侧面为沿Y方向延伸的平面,该曲面与X-Z面相交为曲线,与X-Y平面相交为直线;在高阶非球面快轴准直镜的第一侧面和第二侧面形成有增透膜。
6.如权利要求5所述的边发射半导体激光器,其特征在于,高阶非球面慢轴准直镜在X方向上具有第一侧面和第二侧面,第一侧面靠近高阶非球面快轴准直镜,为沿Y方向延伸的平面,第二侧面远离高阶非球面快轴准直镜,为沿Z方向延伸的曲面,该曲面与X-Y面相交为曲线,与X-Z面相交为直线;在高阶非球面慢轴准直镜的第一侧面和第二侧面形成有增透膜。
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