[实用新型]多层片式瓷介电容器有效
申请号: | 202022746515.X | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN213400883U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 吴继伟;刘溪笔;戚永义;杨国兴;才纯库;孙飞;孙影 | 申请(专利权)人: | 大连达利凯普科技股份公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/38;H01G4/005;H01G4/12 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 刘曾 |
地址: | 116630 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 片式瓷介 电容器 | ||
1.一种多层片式瓷介电容器,其特征在于,包括:
陶瓷介质层;
多个嵌设在所述陶瓷介质层中的第一电极层,所述第一电极层包括依次间隔且位于同一平面内的第一内电极、第二内电极和第三内电极,且所述第一内电极和所述第三内电极暴露于所述陶瓷介质层的两端;
多个嵌设在所述陶瓷介质层中的第二电极层,且多个所述第二电极层与多个所述第一电极层交替间隔设置,所述第二电极层包括间隔且位于同一平面内的第四内电极和第五内电极;
包覆在所述陶瓷介质层两端的外电极,两个所述外电极分别与所述第一内电极和所述第三内电极电接触;
其中,所述第四内电极的一端与相邻的所述第一内电极相对应,并形成第一电容部件,所述第四内电极的另一端与相邻的所述第二内电极相对应,并形成第二电容部件,所述第五内电极的一端与相邻的所述第二内电极相对应,并形成第三电容部件,所述第五内电极的另一端与相邻的所述第三内电极相对应,并形成第四电容部件,所述第一电容部件、所述第二电容部件、所述第三电容部件和所述第四电容部件依次串联。
2.根据权利要求1所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述第一内电极与相邻的第二内电极之间的第一电极间隙为D1,所述第二内电极与相邻的所述第三内电极之间的第二电极间隙为D2,所述第三内电极与相邻的所述第四内电极之间的第三电极间隙为D3,其中,D1=D2=D3。
3.根据权利要求2所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述第四内电极与相邻的所述外电极之间的第四电极间隙为L1,所述第五内电极与相邻的所述外电极之间的第五电极间隙为L2,其中,L1=L2。
4.根据权利要求3所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述第四电极间隙L1大于或等于所述第一电极间隙D1。
5.根据权利要求1所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层的之和为奇数个,且每个所述第二电极层嵌设在两个所述第一电极层之间。
6.根据权利要求1所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述第一内电极、所述第二内电极、所述第三内电极、所述第四内电极以及所述第五内电极的厚度相等。
7.根据权利要求6所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述第一内电极的厚度在1μm至10μm之间。
8.根据权利要求1-7任一项所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述陶瓷介质层包括第一包覆层、第二包覆层和多个介电层,所述第一包覆层设置于多个所述第一电极层的顶部,所述第二包覆层设置于多个所述第二电极层的底部,多个所述介电层分别对应设置在相邻的所述第一电极层和所述第二电极层之间,并位于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间。
9.根据权利要求8所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述介电层的厚度在30μm至3000μm之间。
10.根据权利要求8所述的多层片式瓷介电容器,其特征在于,所述第一包覆层和所述第二包覆层的厚度均大于所述介电层的厚度。
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