[实用新型]具有透镜结构的VCSEL芯片有效
| 申请号： | 202022749667.5 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN214124315U | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 赵风春;王青;张杨;李军;尧舜;单杰;王光辉 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/02253;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 100020 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 透镜 结构 vcsel 芯片 | ||
1.一种具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，包括：
GaAs衬底；
在所述GaAs衬底上依次生长的NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层和P接触层；
所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层对应出光孔区域，所述第二氧化层设置在所述出光孔区域的两侧；
P电极，所述P电极设置在所述出光孔区域的所述P接触层上；
N电极，所述N电极设置在所述GaAs衬底靠近所述NDBR层的表面上；
SIN钝化层，所述SIN钝化层设置在所述VCSEL芯片的至少部分表面上；
透镜，所述透镜设置在所述出光孔区域的所述SIN钝化层的表面，且所述透镜完全覆盖所述出光孔区域。
2.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述透镜所在圆的直径为13-17μm。
3.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述透镜的顶部距离P接触层的高度为6.0-6.5μm。
4.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述出光孔的直径为7-10μm。
5.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述NDBR层的厚度为3.5-4.0μm。
6.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述MQW层的厚度为180nm-220nm。
7.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述氧化层的厚度为80-120nm。
8.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述PDBR层的厚度为3.5-4.0μm。
9.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述P接触层的厚度为30-40nm。
10.根据权利要求1所述的具有透镜结构的VCSEL芯片，其特征在于，所述SIN钝化层的厚度为200-400nm。
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