[实用新型]一种平面波导型光放大器芯片

权利要求书

1.一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，芯片截面从上至下由上包层(1)、上多模平板波导层(2)、上胶层(3)、单模掩埋光波导芯层(4)、下包层(5)、下胶层(6)、下多模平板波导层(7)和衬底(8)构成；

所述单模掩埋光波导芯层(4)嵌设在下包层(5)内部，所述下包层(5)上下表面分别通过上胶层(3)和下胶层(6)依次与上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)连接，所述下多模平板波导层(7)底部设有衬底(8)，所述上多模平板波导层(2)顶面设有上包层(1)；

所述单模掩埋光波导芯层(4)材质为光放大材料，传输信号光，所述上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)为泵浦光传输层，传输泵浦光，泵浦光通过上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)耦合至单模掩埋光波导芯层(4)，对信号光进行泵浦放大。

2.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)和下包层(5)材质为具有放大特性的玻璃材料，为掺铒玻璃或掺镱玻璃或镱铒共掺玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)与下包层(5)的折射率差为0.005～0.020。

4.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)与单模掩埋光波导芯层(4)的折射率差均为-0.010～-0.003，与下包层(5)的折射率差均为0.002～0.010。

5.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)的高度均为20～400μm，宽度均为20～2000μm。

6.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)由数量大于等于1的直波导的阵列构成。

7.根据权利要求6所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)的直波导的高度为5～9μm，宽度为5～9μm。

8.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述下包层(5)的厚度为10～20μm。