[实用新型]一种人工合成反铁磁结构、磁性存储单元及存储器有效
| 申请号： | 202022787692.2 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN214705445U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 赵月雷;周艳;杨晟;周钰卿;李晓光;武凯 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 518115 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 人工合成 反铁磁 结构 磁性 存储 单元 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种人工合成反铁磁结构，其特征在于，所述反铁磁结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，所述非磁性金属层位于所述第一磁性层和第二磁性层之间，所述第一磁性层和第二磁性层处于反铁磁耦合状态。
2.根据权利要求1所述的反铁磁结构，其特征在于，所述非磁性金属层的厚度范围为1.25-1.75 nm。
3.根据权利要求1所述的反铁磁结构，其特征在于，所述第一磁性层和第二磁性层均为垂直磁化层，即所述第一磁性层和第二磁性层的净磁矩方向垂直于所述第一磁性层和第二磁性层。
4.一种磁性存储单元，其特征在于，所述磁性存储单元包括权利要求1-3中任一项所述的反铁磁结构。
5.一种磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储器包括权利要求4所述的磁性存储单元。
6.根据权利要求5所述的磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储器包括自旋轨道扭矩磁随机存储器SOT-MRAM。
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