[实用新型]一种复合型霍尔传感器

权利要求书

1.一种复合型霍尔传感器，其特征在于：包括单片机模块、信号采集模块、信号放大模块和电源模块，所述信号采集模块通过单片机模块与所述信号放大模块电连接，所述单片机模块、信号采集模块和信号放大模块均与所述电源模块电连接，所述单片机模块包括单片机芯片、电阻R17和电阻R18，所述电阻R17的一端接信号采集模块的输出电压Vout，电阻R17的另一端分别接入单片机芯片端子PE8端以及电阻R18的一端，电阻R18的另一端接地，所述单片机芯片端子PA4端输出电流信号DAC1，所述单片机芯片端子PA5端输出电流信号DAC2，所述信号放大模块包括第一路放大电路和第二路放大电路，电流信号DAC1与第一路放大电路的输入端电连接，电流信号DAC2与第二路放大电路的输入端电连接，所述信号采集模块包括磁芯、原边线圈、副边补偿线圈，原边线圈侧设有原边电压V_P和限流电阻R_i，原边线圈和副边补偿线圈均缠绕入磁芯周围，副边补偿线圈缠绕整个磁芯，原边线圈缠绕于背离磁芯缺口侧的副边补偿线圈上。

2.如权利要求1所述的复合型霍尔传感器，其特征在于：所述单片机模块还包括电阻R2，所述电阻R2的一端接地，电阻R2的另一端分别接到单片机芯片复位端子NRST端子以及电容C5的一端，电容C5的另一端接地。

3.如权利要求1所述的复合型霍尔传感器，其特征在于：所述单片机模块还包括电阻R6，所述电阻R6的一端与单片机芯片端子41号电连接，所述电阻R6另一端与发光二极管LED1的正极相连，发光二极管LED1的负极接地。

4.如权利要求1所述的复合型霍尔传感器，其特征在于：所述单片机模块还包括电阻R1、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4，所述电阻R1一端与单片机芯片端子44号相连，电阻R1另一端接地，所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4并联，一端接电源模块的输出端，另一端接地。

5.如权利要求1所述的复合型霍尔传感器，其特征在于：所述电源模块包括保险丝F1、二极管D1、电容C8、电容C9、电容C10以及降压芯片UA78M33，所述保险丝F1的一端接入电源V+，保险丝F1的另一端与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极分别与降压芯片UA78M33的IN端子以及电容C8的一端相连，电容C8的另一端分别与降压芯片UA78M33的AGND以及降压芯片UA78M33的4号端子相连并接地，降压芯片UA78M33的3号端子分别与电容C9、电容C10的一端相连，电容C9、电容C10的另一端接地。

6.如权利要求1所述的复合型霍尔传感器，其特征在于：所述信号采集模块还包括霍尔元件、电阻R19、电阻R20、运算放大器、三极管Q3、三极管Q4、测量电阻Rm，霍尔元件置于磁芯缺口处，霍尔元件的输出端分别与电阻R19、电阻R20的一端相连，电阻R19、电阻R20的另一端分别接入运算放大器的输入端，运算放大器的输出端分别接到三极管Q3的基极和三极管Q4的基极，三级管Q3的基极同时与副边补偿线圈的一端相连，三极管Q3的集电极与电源的正极Vc+相连，三极管Q3的发射极与三极管Q4的集电极相连，三极管Q4的发射极与电源负极Vc-相连，副边补偿线圈的另一端与测量电阻Rm相连，测量电阻Rm的另一端接地。

7.如权利要求1所述的复合型霍尔传感器，其特征在于：所述第一路放大电路和第二路放大电路的电路结构相同，所述第一路放大电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C13、三极管Q1、运算放大器OP1A，所述电容C13的一端接地，电容C13的另一端与电阻R7相连，电阻R7分别与电阻R9以及运算放大器OP1A输入正极相连，电阻R4的一端接地，电阻R4的另一端分别接入运算放大器OP1A的输入负极以及电阻R3的一端，电阻R3的另一端与三极管Q1的发射极相连，电阻R9的另一端与电阻R8的一端相连，电阻R8的另一端与三极管Q1的发射极相连，运算放大器OP1A的8号引脚接地，运算放大器OP1A的输出端与电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端与三极管Q1的基极相连，三极管Q1的集电极接地。