[实用新型]用于光杆位移测量的光电位移传感器有效

专利信息
申请号: 202022805986.3 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN214095922U 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 倪国强;刘湃;孙炀;刘贵强;贾飞;赖雪勇;刘巨光;王天宇;叶沛林 申请(专利权)人: 中国石油天然气股份有限公司
主分类号: G01B11/02 分类号: G01B11/02
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 宁立存
地址: 100007 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 光杆 位移 测量 光电 传感器
【权利要求书】:

1.一种用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述用于光杆位移测量的光电位移传感器包括:

后壳体(11),一侧具有开口;

前壳体(12),与所述后壳体(11)连接,构成一容纳腔(110),所述前壳体(12)具有一U型缺口(121),所述U型缺口(121)的底部通过一检测窗口(111)与所述容纳腔(110)连通;

扶正器(13),与所述前壳体(12)可拆卸连接,当所述扶正器(13)与所述前壳体(12)相连时,在所述U型缺口(121)处形成供光杆(10)穿过的限位通孔(122);

光电检测探头(14),位于所述容纳腔(110)内,且所述光电检测探头(14)正对所述检测窗口(111)。

2.根据权利要求1所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述光电检测探头(14),包括:

定位底盘(140),与所述前壳体(12)连接,且所述定位底盘(140)具有与所述检测窗口(111)相对的摄像孔(1400);

第一印制电路板(141),与所述定位底盘(140)连接;

光源(142),位于所述第一印制电路板(141)上且与所述第一印制电路板(141)电连接,所述光源(142)射出光线的光路依次经过所述摄像孔(1400)和所述检测窗口(111);

光学成像器(143),位于所述第一印制电路板(141)上且与所述第一印制电路板(141)电连接,所述光学成像器(143)接收光线的光路依次经过所述检测窗口(111)和所述摄像孔(1400);

光学透镜(144),位于所述光源(142)和所述摄像孔(1400)之间。

3.根据权利要求2所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述光源(142)为激光源或红外光源。

4.根据权利要求2所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述光学成像器(143)为光电鼠标芯片组。

5.根据权利要求2至4任一项所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述用于光杆位移测量的光电位移传感器还包括:

第二印制电路板(15),位于所述容纳腔(110)外;

主控单片机(16),位于所述第二印制电路板(15)上,且通过所述第二印制电路板(15)和所述第一印制电路板(141)与所述光学成像器(143)电连接。

6.根据权利要求5所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述主控单片机(16)为MSP430型单片机。

7.根据权利要求5所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述用于光杆位移测量的光电位移传感器还包括:

存储单元(17),位于所述第二印制电路板(15)上,且通过所述第二印制电路板(15)与所述主控单片机(16)电连接。

8.根据权利要求7所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述存储单元(17)为AT45DB型存储芯片。

9.根据权利要求5所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述用于光杆位移测量的光电位移传感器还包括:

数据传输芯片(18),位于所述第二印制电路板(15)上,且通过所述第二印制电路板(15)与所述主控单片机(16)电连接。

10.根据权利要求9所述的用于光杆位移测量的光电位移传感器,其特征在于,所述数据传输芯片(18)为nRF24L01型发射芯片。

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