[实用新型]二维材料垂直生长的硅片反应转移装置有效
| 申请号： | 202022807355.5 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN213752650U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 于葛亮;康斯坦丁·诺沃舍洛夫;杨金东;孙正乾;唐阳;王杨华 | 申请（专利权）人： | 无锡费曼科技有限公司;无锡墨诺半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214174 江苏省无锡市惠*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 材料 垂直 生长 硅片 反应 转移 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，包括硅片座（1）与压盖（2）；其特征是：在所述硅片座（1）的侧面开设有夹持凹槽（11），在硅片座（1）的上端面设有呈多边形形状的硅片放置凹腔（12）；所述压盖（2）套在硅片座（1）的上端，在对应硅片放置凹腔（12）位置的压盖（2）上开设有压盖孔（21），所述硅片放置凹腔（12）的边角位于压盖孔（21）之外。
2.根据权利要求1所述的二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，其特征是：所述硅片放置凹腔（12）呈长方形形状或者正方形形状。
3.根据权利要求1或2所述的二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，其特征是：所述硅片放置凹腔（12）的深度为0.8~2mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡费曼科技有限公司;无锡墨诺半导体科技有限公司，未经无锡费曼科技有限公司;无锡墨诺半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022807355.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
