[实用新型]一种不需要升压泵的高端驱动N管电路

说明书

本实用新型公开了一种不需要升压泵的高端驱动N管电路，包括电源VCC、降压模块、光耦合器U4、电阻R59、电阻R60、BUCK降压电路、单片机、N沟道MOS管Q35，光耦合器U4的1管脚通过电阻R60连接单片机，光耦合器U4的2管脚连接地信号GND,光耦合器U4的4管脚通过电阻R59连接电源VCC，电源VCC通过降压模块连接N沟道MOS管Q35的D极，N沟道MOS管Q35的S极连接BUCK降压电路的输入端IN，MOS管Q35的G极连接光耦合器U4的3管脚。本实用新型的N沟道MOS管替代料较多，采用光耦隔离，有效保护了单片机，成本相对较低，器件少，pcb布局灵活。

技术领域

本实用新型涉及一种不需要升压泵的高端驱动N管电路。

背景技术

随着社会的进步和发展，仓储、家庭、出行等方面的智能化，可移动的消费类电子产品的多元化，电池作为清洁能源的提供者，使其越来越受到广大消费者的追捧和青睐，成为电子产品不可或缺的一部分。在应用过程中，电池作为能源的输出端，通过一定条件的充电、放电、高温成组存储、低温成组存储测等测试项目，考量电芯的性能是否符合使用条件，提高应用中的安全、运行系数，在长期的使用过程当中，帮助电池降低使用过程中故障率，为用户在使用过程中，提供更为安心的服务，提高用户认可度，成为一项非常有意义的研究课题。

现有的方案，如图1所示，在用比较高电压输入时，P沟道MOS管Q8选型受到局限，但N管类型多，阻抗小，替代料多，此电路需要P沟道MOS管Q8、N沟道MOS管Q17一起控制BUCK降压电路的输入端的通断，信号转换器件较多，占用pcb空间也较大，并且Q8的VGS驱动电压分压而来，需要根据输入变化匹配一个分压范围，非常麻烦。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足，提供一种不需要升压泵的高端驱动N管电路。

为了达到上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种不需要升压泵的高端驱动N管电路，包括电源VCC、降压模块、光耦合器U4、电阻R59、电阻R60、BUCK降压电路、单片机、N沟道MOS管Q35，所述光耦合器U4的1管脚通过电阻R60连接单片机，所述光耦合器U4的2管脚连接地信号GND,所述光耦合器U4的4管脚通过电阻R59连接电源VCC，所述电源VCC通过降压模块连接N沟道MOS管Q35的D极，所述N沟道MOS管Q35的S极连接BUCK降压电路的输入端IN，所述BUCK降压电路还连接地信号GND,所述MOS管Q35的G极连接光耦合器U4的3管脚。

作为优选，降压模块包括二极管D18、二极管D19、二极管D23、二极管D24，所述电源VCC通过二极管D18连接二极管D19，所述二极管D19通过二极管D23连接二极管D24的正极，所述二极管D24的负极连接N沟道MOS管Q35的D极。

作为优选，所述电源VCC为84V。

作为优选，N沟道MOS管Q35采用VGSmax2V的低阻抗N管。

本实用新型的有益效果如下：本实用新型采用N沟道MOS管Q35，N沟道MOS管替代料较多，阻抗小，BUCK降压电路有输入电容充电时，安全区较大，不容易击穿；本实用新型采用光耦隔离，有效保护了单片机，降低失效风险；本实用新型不需要升压泵，仅需要4个二极管，一般SOD323小封装即可，虽不能作为大功率回路用，但适合的几十mA输入的dcdc电路均可采用此电路；本实用新型成本相对较低，器件少，pcb布局灵活。

附图说明

图1为背景技术中的电路原理图；

图2为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型的技术方案作进一步说明：