[实用新型]异质结太阳能电池有效
申请号: | 202022808021.X | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN214043682U | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 邓士锋;赵亚婷;陆悦;夏正月;许涛 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结 太阳能电池 | ||
1.一种异质结太阳能电池,包括硅衬底、依次设置于所述硅衬底受光面一侧的第一本征非晶层与第一掺杂非晶层、依次设置于所述硅衬底背光面一侧的第二本征非晶层与第二掺杂非晶层,其特征在于,所述异质结太阳能电池还包括设置于第一掺杂非晶层上的第一透明导电膜层以及设置于第二掺杂非晶层上且方阻小于所述第一透明导电膜层方阻的第二透明导电膜层,所述第一透明导电膜层与所述第二透明导电膜层上还分别设置有第一集电极与第二集电极,所述第二集电极具有设置于第二透明导电膜层上的铝副栅。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述第一透明导电膜层的方阻为40~70Ω/□,所述第二透明导电膜层的方阻为20~40Ω/□。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述第二透明导电膜层的厚度大于所述第一透明导电膜层的厚度。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述第二透明导电膜层包括ITO膜、IWO膜或ITiO膜,所述第一透明导电膜层包括载流子浓度小于所述第二透明导电膜层载流子浓度的ITO膜、IWO膜或ITiO膜。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述第一集电极具有设置于第一透明导电膜层上的正面主栅与正面副栅,所述第二集电极还具有设置于第二透明导电膜层上的背面主栅,所述正面主栅、所述正面副栅与所述背面主栅中的至少一个为银包镍颗粒堆叠层结构、银包铜颗粒堆叠层结构、银包铝颗粒堆叠层结构、银包玻璃粉颗粒堆叠层结构、镍包碳颗粒堆叠层结构或镍颗粒堆叠层结构。
6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述银包镍颗粒堆叠层结构中银包镍颗粒、所述银包铜颗粒堆叠层结构中银包铜颗粒、所述银包铝颗粒堆叠层结构中银包铝颗粒、所述银包玻璃粉颗粒堆叠层结构中银包玻璃粉颗粒、所述镍包碳颗粒堆叠层结构中镍包碳颗粒及所述镍颗粒堆叠层结构中镍颗粒的粒径为5-15μm。
7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述异质结太阳能电池中银包镍颗粒堆叠层结构、银包铜颗粒堆叠层结构、银包铝颗粒堆叠层结构、银包玻璃粉颗粒堆叠层结构、镍包碳颗粒堆叠层结构或镍颗粒堆叠层结构于所述硅衬底厚度方向上包括至少两层结构,相邻两层结构中的银包镍颗粒、银包铜颗粒、银包铝颗粒、银包玻璃粉颗粒、镍包碳颗粒或镍颗粒在所述硅衬底所在平面上的投影呈错位分布。
8.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述异质结太阳能电池还包括设置在银包镍颗粒堆叠层结构、银包铜颗粒堆叠层结构、银包铝颗粒堆叠层结构、银包玻璃粉颗粒堆叠层结构、镍包碳颗粒堆叠层结构或镍颗粒堆叠层结构中颗粒间隙位置处的导电填充层。
9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述导电填充层为纳米银粒子填充层或纳米镍粒子填充层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的