[实用新型]一种具有复合钝化层的半导体器件有效
| 申请号： | 202022813212.5 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN214012901U | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 林科闯;赵杰;刘成;叶念慈;林育赐;徐宁;郭德霄 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/205;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 钝化 半导体器件 | ||
1.一种具有复合钝化层的半导体器件，包括半导体基底和设于半导体基底之上的电极，其特征在于：还包括设于半导体基底和电极之上的复合钝化层，所述复合钝化层于所述电极之上具有暴露所述电极的开口；所述复合钝化层包括交替设置的第一纳米沉积层和第二纳米沉积层，其中第一纳米沉积层的生长速率低于第二纳米沉积层。
2.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述第一纳米沉积层的厚度小于所述第二纳米沉积层。
3.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述第一纳米沉积层是采用ALD生长的SiNx、SiO2、AlN、Al2O3、AlON或SiON。
4.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述第一纳米沉积层的每一层的厚度小于10nm。
5.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述第二纳米沉积层是采用PECVD生长的SiNx、SiO2或SiON。
6.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述第二纳米沉积层的每一层的厚度小于30nm。
7.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述交替设置的重复次数为1～5。
8.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述复合钝化层还包括设于所述纳米沉积层之上的聚酰亚胺表层。
9.根据权利要求1所述的具有复合钝化层的半导体器件，其特征在于：所述交替设置的顶层为所述第一纳米沉积层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
