[实用新型]半导体红光激光器

权利要求书

1.一种半导体红光激光器，其特征在于，所述半导体红光激光器的电子阻挡层由受张应力的GaInP材料和受压应力的AlInP材料形成的GaInP/AlInP应变超晶格制成。

2.根据权利要求1所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述半导体红光激光器还包括衬底、N型光限制层、N型波导层、量子肼、P型波导层、P型光限制层、P型接触层、P型电极以及N型电极；

其中，所述N型光限制层、所述N型波导层、所述量子肼、所述P型波导层、所述电子阻挡层、所述P型光限制层、所述P型接触层依序层叠设置在所述衬底的第一表面上，所述P型电极设置在所述P型接触层上，所述N型电极设置在所述衬底的与所述第一表面背对的第二表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述衬底为N型GaAs衬底。

4.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述N型光限制层为N型AlInP材料。

5.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述N型波导层为N型AlGaInP材料。

6.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述量子肼为GaInP材料。

7.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述P型波导层为P型AlGaInP材料。

8.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述P型光限制层为P型AlInP或P型AlGaAs材料。

9.根据权利要求2所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述P型接触层为P型GaAs材料。

10.根据权利要求2至9任一项所述的半导体红光激光器，其特征在于，所述电子阻挡层的导带高于所述P型波导层和所述P型光限制层的导带。