[实用新型]一种铝硅壳体专用除氢装置

说明书

本实用新型涉及铝硅材料制造技术领域，尤其是一种铝硅壳体专用除氢装置，包括加热炉体、除氢腔体、真空系统和水冷系统，所述除氢腔体设置在加热炉体内部，所述加热炉体根据预设温控曲线对除氢腔体进行加热，所述真空系统与除氢腔体连通，所述真空系统对除氢腔体抽真空，所述水冷系统的水冷管道包裹除氢腔体，所述水冷系统对除氢腔体进行降温，本实用新型可以解决现有的除氢方式存在二次污染问题以及能耗高等问题。

技术领域

本实用新型涉及铝硅材料制造技术领域，具体领域为一种铝硅壳体专用除氢装置。

背景技术

由于极低的温度膨胀系数，铝硅材料广泛应用于有源相控阵雷达的T/R组件壳体当中。但是由于铝硅壳体在加工过程中，需要镀金工艺，以保证芯片在壳体内部焊接的可靠性。铝硅壳体在电镀过程中，会吸附有氢分子，容易造成焊接引脚的氢脆现象，使结构可靠性降低，同时封装后的T/R组件芯片，容易因为氢气的渗入，腐蚀芯片，造成芯片失效。因此，铝硅壳体在机械加工完成后，激光封焊前要进行除氢处理，以提高T/R组件的可靠性。

目前，金属电镀后除氢主要有空气中直接加热除氢、放置到煤油中加热除氢等，主要适用于要求不高的场合。

传统的除氢方式存在二次污染问题，不能用来制造用于航空航天等领域的高标准器件，另外传统的除氢方式除氢效率低，能耗高，经济成本及环境成本都很高

实用新型内容

本实用新型的目的在于一种铝硅壳体专用除氢装置，以解决现有的除氢方式存在二次污染问题以及能耗高等问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种铝硅壳体专用除氢装置，包括加热炉体、除氢腔体、真空系统和水冷系统，所述除氢腔体设置在加热炉体内部，所述加热炉体根据预设温控曲线对除氢腔体进行加热，所述真空系统与除氢腔体连通，所述真空系统对除氢腔体抽真空，所述水冷系统的水冷管道包裹除氢腔体，所述水冷系统对除氢腔体进行降温。

优选的，所述水冷系统包括水冷机和水冷管道，所述水冷管道包括总进水管、总出水管、多路分进水管和多路分出水管，冷却水由总进水管经过各分进水管进入到炉壳、炉门以及除氢腔体，再经各分路出水管汇集至总出水管排出。

优选的，所述除氢腔体由不锈钢材料制成。

优选的，所述除氢腔体内部设有分层隔板。

优选的，还包括安全监控系统，所述安全监控系统对除氢腔体内部的温度以及真空度进行监控，并根据监控的温度和真空度数据控制加热炉体、真空系统以及水冷系统。

优选的，所述预设温控曲线为前5-7分钟加热至210℃，保持210℃加热40-45分钟，而后两分钟内降至30℃。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本申请采用了真空环境除氢，避免了二次污染，也避免了铝硅壳体镀金层高温氧化；针对铝硅壳体除氢设计了专用的温控曲线，既能满足铝硅除氢的技术要求，又能节约能耗成本，降低人工成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的除氢温控曲线图。

图中：1加热炉体、2除氢腔体、21分层隔板，3真空系统、4水冷系统。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。