[实用新型]一种IGBT功率模块有效
| 申请号： | 202022824370.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN213816144U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 朱贤龙;闫鹏修;王咏;周晓阳 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 常柯阳 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 功率 模块 | ||
1.一种IGBT功率模块，其特征在于，包括：
散热底板；
封装外壳和半导体芯片，所述封装外壳和所述半导体芯片均设置在所述散热底板的一侧表面，所述半导体芯片位于所述封装外壳内；
陶瓷基板，所述陶瓷基板设置在所述半导体芯片远离所述散热底板的一侧，所述陶瓷基板穿出所述封装外壳；
其中，所述封装外壳上设置有若干个端子，所述半导体芯片通过所述陶瓷基板与所述端子电连接。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征在于：所述半导体芯片包括IGBT芯片和FRD芯片，所述IGBT芯片通过所述陶瓷基板与所述FRD芯片电连接。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征在于：所述陶瓷基板为覆铜陶瓷基板。
4.根据权利要求3所述的一种IGBT功率模块，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板包括第一覆铜层、第二覆铜层以及陶瓷层，所述第二覆铜层位于所述覆铜陶瓷基板靠近所述半导体芯片的一侧，所述第一覆铜层位于所述覆铜陶瓷基板远离所述半导体芯片的一侧，所述陶瓷层位于所述第一覆铜层与所述第二覆铜层之间。
5.根据权利要求4所述的一种IGBT功率模块，其特征在于：所述第二覆铜层靠近所述半导体芯片的一侧表面设置有通过刻蚀形成的线路，所述半导体芯片与所述线路电连接。
6.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征在于：所述陶瓷基板为AMB陶瓷基板。
7.根据权利要求1所述的一种IGBT功率模块，其特征在于：所述散热底板远离所述半导体芯片的一侧表面设有若干个散热结构。
8.根据权利要求7所述的一种IGBT功率模块，其特征在于：所述散热结构包括针翅结构、肋片结构以及散热条结构中的至少一种。
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