[实用新型]一种基于紫外杀菌应用的紫外LED器件

说明书

本实用新型公开了一种基于紫外杀菌应用的紫外LED器件包括支架基板、第一UVB正极片、第一UVB负极片、第一UVC正极片、第一UVC负极片、UVC芯片、UVB芯片和齐纳管；支架基板正面中央设有安装槽，第一UVB正极片、第一UVC正极片同第一UVB负极片、第一UVC负极片呈对称方式间隔排布于安装槽中，UVC芯片、UVB芯片和齐纳管均设于对称轴处。本实用新型通过镜像排布的方式将UVC芯片、UVB芯片和齐纳管依次设置于支架基板的正面的安装槽中，使该LED器件能够同时进行UVC和UVB两个波段的辐照，满足了不同紫外波段同时进行应用的需求。

技术领域

本实用新型涉及深紫外杀菌装置领域，特别是一种基于紫外杀菌应用的紫外LED器件。

背景技术

目前，基于AlGaN的深紫外LED是通过紫外线的照射破坏、终止细菌、孢子与病毒的DNA复制过程，实现有效抑制细菌繁殖的目的，一般波长范围为250nmλ285nm，其中280～320nm波段的UVB紫外光可直接作用于皮肤表皮起到杀灭病菌，激发组织对疾病的防御机能，增加机体免疫功能，促使色素生成和脱敏的作用，能减轻炎症反应，改善局部血液循环，促进皮疹愈合及缓解疼痛，且不良反应少，治疗简单安全。而UVB紫外光其杀菌效果不如200～280nm波段的UVC紫外光，UVC紫外光能够更快的破坏微生物的DNA和RNA并阻止其繁殖，从而实现高效快速的杀菌的效果。通常情况下，现有技术中采用单个UVB或UVC芯片投入应用，而单个种类的芯片辐射功率较低，也无法兼顾多波段的不同应用需求。故需要提出一种新的基于紫外杀菌应用的紫外LED器件，用于解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种基于紫外杀菌应用的紫外LED器件，用于解决现有技术中单个种类的芯片辐射功率较低且无法兼顾多波段的不同应用需求的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种基于紫外杀菌应用的紫外LED器件，包括支架基板、第一UVB正极片、第一UVB负极片、第一UVC正极片、第一UVC负极片、UVC芯片、UVB芯片和齐纳管；支架基板正面中央设有安装槽，第一UVB正极片、第一UVC正极片同第一UVB负极片、第一UVC负极片呈对称方式间隔排布于安装槽中，UVC芯片、UVB芯片和齐纳管均设于对称轴处，UVB芯片的正负极分别同第一UVB正极片、第一UVB负极片电连接，UVC芯片和齐纳管的正负极分别同第一UVC正极片、第一UVC负极片电连接。

优选的，支架基板的背面设有第二UVB正极片、第二UVB负极片、第二UVC正极片、第二UVC负极片和热沉，且相互间隔设置；第二UVB正极片、第二UVB负极片、第二UVC正极片和第二UVC负极片分别间隔设置于支架基板的边角处，且第二UVB正极片与第一UVB正极片对应电连接，第二UVB负极片与第一UVB负极片对应电连接，第二UVC正极片与第一UVC正极片对应电连接，第二UVC负极片与第一UVC负极片对应电连接；热沉设于支架基板的背面中部，与支架基板的正面对称轴所处位置相对应。

优选的，第一UVB正极片靠近UVC芯片一侧呈弯折凹陷结构，第一UVC正极片靠近UVB芯片一侧呈凸出结构，第一UVB正极片的凹陷结构与第一UVC正极片的凸出结构相互间隔且边缘形貌相适应；第一UVB负极片靠近UVC芯片一侧呈弯折凹陷结构，第一UVC负极片靠近UVB芯片一侧呈凸出结构，第一UVB负极片的凹陷结构与第一UVC负极片的凸出结构相互间隔且边缘形貌相适应；第一UVB正极片与第一UVB负极片相对于支架基板的对称轴镜像间隔排布，第一UVC正极片与第一UVC负极片相对于支架基板的对称轴镜像间隔排布。

优选的，UVC芯片设置于靠近第一UVC正极片和第一UVC负极片的凸出结构处，齐纳管设置于远离第一UVC正极片和第一UVC负极片的凸出结构处。

优选的，支架基板为AlN导热材质支架。

优选的，基于紫外杀菌应用的紫外LED器件还包括石英透镜，支架基板的正面边缘处设有凸起的透镜安装部，透镜安装部与石英透镜对应固定连接。