[实用新型]一种可实现空间位移的电介质薄层和石墨烯的复合结构有效
| 申请号： | 202022828109.8 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN213633884U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵东 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B5/08 |
| 代理公司： | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人： | 汪彩彩 |
| 地址： | 437100 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 空间 位移 电介质 薄层 石墨 复合 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种可实现空间位移的电介质薄层和石墨烯的复合结构，其特征在于，包括非厄米电介质薄层(G)和两个石墨烯单层(σ)，两个石墨烯单层(σ)分别沉积在非厄米电介质薄层(G)的两侧形成一个三层结构；在光波以非垂直入射角度由某一石墨烯单层(σ)穿过时，可提高共振态的反射率，且在共振态附近可以获得大的古斯-汉森位移。
2.根据权利要求1所述一种可实现空间位移的电介质薄层和石墨烯的复合结构，其特征在于，所述非厄米电介质薄层(G)的材料为二氧化硅。
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