[实用新型]安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路

权利要求书

1.安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，用于安全光栅电源控制器的硬件异常监测以及输出自锁保护，包括异常监测与输出自锁保护电路、第一继电器输出回路以及第二继电器输出回路，所述异常监测与输出自锁保护电路分别与所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路电性相连，所述第一继电器输出回路还与所述第二继电器输出回路电性相连；所述异常监测与输出自锁保护电路用于监测主控芯片MCU是否正常工作，所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路用于根据述异常监测与输出自锁保护电路的输出信号接通或关断负载的供电回路。

2.根据权利要求1所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述异常监测与输出自锁保护电路包括MOS管Q15、Q16、Q17、Q18、Q21，电容C9、C10，二极管D12、D13、D14、D15、D16，电阻R50、R51、R52、R54、R55；其中，所述电阻R54、所述MOS管Q17、所述电阻R50、所述电容C10、所述二极管D15以及所述MOS管Q15组成高电平监测电路，所述电阻R55、所述MOS管Q21、所述电阻R52、所述MOS管Q18、所述电容C9、所述电阻R51、所述二极管D16以及所述MOS管Q16组成低电平监测电路；所述电阻R54的一端和所述电阻R55的一端的连接点连接所述主控芯片MCU的WDI控制脚，所述电阻R54的另一端连接所述MOS管Q17的栅极，所述MOS管Q17的源极接地，所述MOS管Q17的漏极分别连接所述电阻R50的一端、所述二极管D15的正极、所述电容C10的一端，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R50的另一端接5V，所述二极管D15的负极连接所述MOS管Q15的栅极，所述MOS管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述二极管D12的负极，所述二极管D12的负极还与所述二极管D13的负极和所述二极管D14的负极连接后连接所述MOS管Q16的漏极，所述MOS管Q16的源极接地，所述MOS管Q16的栅极连接所述二极管D16的负极，所述二极管D16的正极分别连接所述电阻R51的一端、所述MOS管Q18的源极以及所述电容C9的一端，所述电阻R51的另一端连接5V，所述电容C9的另一端接地，所述MOS管Q18的源极接地，所述MOS管Q18的栅极分别连接所述电阻R52的一端和所述MOS管Q21的漏极，所述MOS管Q21的源极接地，所述MOS管Q21的栅极连接所述电阻R55的另一端，所述二极管D12的正极为所述第一继电器输出回路的控制开关RELAY1_OS，所述二极管D13的正极为所述第二继电器输出回路的控制开关RELAY2_OS，所述二极管D14的正极为所述第一继电器输出回路和所述第二继电器输出回路的总控制开关RELAY_OS。

3.根据权利要求2所述的安全光栅电源控制器的异常监测与自锁保护电路，其特征在于，所述第一继电器输出回路包括继电器K1，熔断器P3，三极管Q1和Q19，电容C7，隧道二极管DZ1，二极管D5，电阻R24、R41、R56、R57；所述继电器K1的引脚3连接负载的控制端C2，所述继电器K1的引脚5连接所述熔断器P3的引脚1，所述熔断器P3的引脚1还连接所述第二继电器输出回路，所述继电器K1的引脚7分别连接所述二极管D5的正极、所述三极管Q1的集电极和所述电容C7的一端，所述继电器K1的引脚8分别连接所述二极管D5的负极和24V，所述电容C7的另一端连接所述隧道二极管DZ1的负极，所述隧道二极管DZ1的正极接地，所述三极管Q1的发射极连接所述三极管Q19的集电极，所述三极管Q19的发射极接地，所述三极管Q1的基极分别连接所述电阻R24的一端和所述电阻R41的一端，所述电阻R41的另一端接地，所述三极管Q19的基极分别连接所述电阻R56的一端和所述电阻R57的一端，所述电阻R57的另一端接地，所述电阻R24的另一端连接所述二极管D12的正极；所述电阻R56的另一端分别连接所述第二继电器输出回路和所述二极管D14的正极。